[发明专利]栅极介质层及其制造方法、半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810115966.4 | 申请日： | 2008-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101620995A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明;高大为 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/3115;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 介质 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
1、一种栅极介质层的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，在所述基底上具有氧化硅层；
对所述氧化硅层执行氮化工艺，形成含氮的氧化硅层；
其中，
所述氮化工艺至少有一步为离子注入氮化工艺。
2、如权利要求1所述的栅极介质层的形成方法，其特征在于：在执行所述的离子注入氮化工艺之前，先在所述氧化硅层上形成缓冲层；并在执行完所述离子注入氮化工艺之后去除所述缓冲层。
3、如权利要求2所述的栅极介质层的形成方法，其特征在于：所述缓冲层为氮化硅或碳化硅或其它介质层。
4、如权利要求1所述的栅极介质层的形成方法，其特征在于：所述氮化工艺分为两步进行，其中，第二步为所述的离子注入氮化。
5、如权利要求4所述的栅极介质层的形成方法，其特征在于：所述第一步氮化工艺为高温炉管氮化、快速热处理氮化、低温等离子体氮化或去耦等离子体氮化中的一种。
6、如权利要求1至5任一权利要求所述的栅极介质层的形成方法，其特征在于：所述离子注入氮化工艺分为多次进行。
7、如权利要求1至5任一权利要求所述的栅极介质层的形成方法，其特征在于：所述离子注入氮化工艺中注入时的能量小于10eV。
8、如权利要求1所述的栅极介质层的形成方法，其特征在于：所述离子注入氮化工艺中注入的能量为4eV。
9、如权利要求1至5任一权利要求所述的栅极介质层的形成方法，其特征在于，进一步包括：对执行完氮化工艺的氧化硅层执行退火工艺。
10、如权利要求9所述的栅极介质层的形成方法，其特征在于：所述退火工艺为高温炉管退火或快速热退火。
11、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成氧化硅层；
对所述氧化硅层执行氮化工艺，形成含氮的氧化硅层；
在所述含氮的氧化硅层上形成栅极；
在所述栅极侧壁形成侧壁层，在所述栅极侧壁的基底中形成源极和漏极；其中，
所述氮化工艺至少有一步为离子注入氮化工艺。
12、如权利要求11所述的栅极介质层的制造方法，其特征在于：执行所述离子注入氮化工艺之前，先在所述氧化硅层上形成缓冲层，并在执行所述离子注入氮化工艺之后，去除所述缓冲层。
13、如权利要求11所述的栅极介质层的形成方法，其特征在于：所述离子注入工艺中注入时的能量小于10eV。
14、一种栅极介质层，包括氧化硅层，所述氧化硅层中掺有杂质氮，其特征在于：所述氧化硅层至少经过一次离子注入氮化处理。
15、一种半导体器件，其特征在于：包含权利要求14所述的栅极介质层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810115966.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳电池组件装框机
- 下一篇：平面放电灯及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
