[发明专利]高密度DNA测序芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 200810114536.0 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101597640A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李运涛;俞育德;余金中;于军;胡迪;任鲁风 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C12Q1/68 | 分类号： | C12Q1/68;C12M1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 dna 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种高密度DNA测序芯片，其特征在于，包括：
一氧化铝薄膜，该氧化铝薄膜上制备有蜂巢状的通孔；
一DNA测序芯片的基片；
其中该氧化铝薄膜上的蜂巢状的通孔是采用阳极氧化方法形成，将该氧化铝薄膜直接转移至DNA测序芯片的基片的表面，形成池壁为氧化铝薄膜，池底为DNA测序芯片的基片表面的微反应池阵列。
2.根据权利要求1所述的高密度DNA测序芯片，其特征在于，其中所述该氧化铝薄膜直接转移至DNA测序芯片的基片的表面是采用物理键合方法。
3.根据权利要求1所述的高密度DNA测序芯片，其特征在于，其中所述该氧化铝薄膜直接转移至DNA测序芯片的基片的表面是采用施加压力的方法。
4.一种高密度DNA测序芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：在铝或铝合金材料的表面采用阳极氧化方法制作蜂巢状的微反应池阵列原型；
步骤2：将蜂巢状的微反应池原型从铝或铝合金材料上剥离；
步骤3：将蜂巢状的微反应池原型扩孔，形成氧化铝薄膜；
步骤4：将扩孔后的氧化铝薄膜转移至DNA测序芯片的基片表面，完成高密度DNA测序芯片。
5.根据权利要求4所述的高密度DNA测序芯片的制作方法，其特征在于，其中所述将扩孔后的氧化铝薄膜转移至DNA测序芯片的基片的表面是采用物理键合方法。
6.根据权利要求4所述的高密度DNA测序芯片的制作方法，其特征在于，其中所述将扩孔后的氧化铝薄膜转移至DNA测序芯片的基片的表面是采用施加压力的方法。
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