[发明专利]用于保护芯片的半导体结构有效
| 申请号： | 200810114313.4 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599465A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 卑多慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 保护 芯片 半导体 结构 | ||
1.一种用于保护芯片的半导体结构，包括位于芯片的互连结构外 围的密封圈和位于所述密封圈的至少一个侧壁外侧的缓冲结构，所述缓 冲结构与所述密封圈分离；其特征在于：
所述缓冲结构包括与所述互连结构相应的中间金属层和用于连接 所述中间金属层的插塞；
每一层的中间金属层中的金属线至少为两条，且不同的金属线在沿 与该缓冲结构相应的密封圈外侧壁的垂直方向分离，每一层的中间金属 层的金属线沿与所述缓冲结构临近的密封圈外侧壁平行的方向分离；在 所述中间金属层的金属线上方相应位置还具有顶层金属线以及与该顶 层金属线连接的焊垫层；
相邻层的中间金属层中相应位置的金属线通过所述的插塞连接。
2.如权利要求1所述的用于保护芯片的半导体结构，其特征在于： 每一层的中间金属层中的金属线平行于与该缓冲结构临近的密封圈外 侧壁。
3.如权利要求1所述的用于保护芯片的半导体结构，其特征在于： 每一层的中间金属层的金属线沿与所述密封圈的外侧壁垂直方向的剖 面轮廓为四边形。
4.如权利要求1至3任一项所述的用于保护芯片的半导体结构， 其特征在于：每一层的中间金属层中的金属线至少通过一个插塞与其下 面相应位置的金属线连接。
5.如权利要求4所述的用于保护芯片的半导体结构，其特征在于： 每一层的中间金属层中的金属线通过三个插塞与其下面相应位置的金 属线连接，且所述插塞沿与所述密封圈的外侧壁垂直方向的剖面轮廓的 中心连线平行于该插塞所在的缓冲结构相应的密封圈的外侧壁。
6.如权利要求1至3任一项所述的用于保护芯片的半导体结构， 其特征在于：所述缓冲结构沿与所述密封圈的外侧面垂直方向的剖面轮 廓为直角三角形，且该三角形的斜边与所述缓冲结构临近的侧面平行。
7.如权利要求6所述的用于保护芯片的半导体结构，其特征在于： 在所述焊垫层上覆盖有钝化层。
8.如权利要求1所述的用于保护芯片的半导体结构，其特征在于： 所述缓冲结构临近的外侧面与该缓冲结构次临近的外侧面的夹角为45 度。
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