[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 200810105902.6 | 申请日： | 2008-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101577212A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 邱何;张峻豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/033;H01L21/308;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上依次形成掩膜层、抗反射及刻蚀阻挡复合层和第一光刻胶层；
将光掩模版上的掩模版半导体器件图形转移至第一光刻胶层上，形成第一光刻胶半导体器件图形；
以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射及刻蚀阻挡复合层至露出掩膜层，形成第一半导体器件图形；
去除第一光刻胶层后，在抗反射及刻蚀阻挡复合层和掩膜层上依次形成抗反射层和平整的第二光刻胶层；
相对第一半导体器件图形位置进行偏移，将光掩模版上的掩模版半导体器件图形转移至第二光刻胶层上，形成第二光刻胶半导体器件图形；
以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层至露出掩膜层，形成目标半导体器件图形；
去除第二光刻胶层后，以抗反射及刻蚀阻挡复合层和抗反射层为掩膜，刻蚀掩膜层至露出半导体衬底；
去除抗反射层和抗反射及刻蚀阻挡复合层，形成目标半导体器件。
2.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述抗反射及刻蚀阻挡复合层为硅和抗反射材料混合物。
3.根据权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述抗反射及刻蚀阻挡复合层的厚度为300埃～500埃。
4.根据权利要求3所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成抗反射及刻蚀阻挡复合层的方法为旋涂法或化学气相沉积法。
5.根据权利要求4所述半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀抗反射及刻蚀阻挡复合层的方法为干法刻蚀法。
6.根据权利要求5所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用的含氟气体。
7.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述抗反射层的厚度为300埃～500埃。
8.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为多晶硅或氮化硅或氮氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
