[发明专利]纳米金修饰共轭聚合物敏化纳晶工作电极的方法有效
| 申请号: | 200810102695.9 | 申请日: | 2008-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN101252156A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
| 发明(设计)人: | 陈今茂;林原;周晓文;张敬波;肖绪瑞;李学萍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L51/48;H01G9/04;H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 李柏 |
| 地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 修饰 共轭 聚合物 敏化纳晶 工作 电极 方法 | ||
1.一种纳米金修饰共轭聚合物敏化纳晶太阳能电池中工作电极的方法,其特征是,该方法包括以下步骤:
1)将TiO2胶体均匀涂覆到清洗干净的导电玻璃上,室温下空气中干燥,在250~600℃温度下烧结15~60分钟,得到厚度为2~20微米的宽禁带TiO2半导体纳晶薄膜工作电极;
2)将步骤1)制备好的宽禁带TiO2半导体纳晶薄膜工作电极浸入到浓度为1.0×10-8~1.0×10-6摩尔/升金的无机酸或金的无机盐的水溶液中浸泡;将浸泡后的宽禁带TiO2半导体纳晶薄膜工作电极取出,于空气中干燥;之后在100~500℃温度下烧结,得到纳米金修饰的宽禁带TiO2半导体纳晶薄膜工作电极;或
将步骤1)制备好的宽禁带TiO2半导体纳晶薄膜工作电极浸入到加有醇电子受体的浓度为1.0×10-7~1.0×10-5摩尔/升金的无机酸或金的无机盐的水溶液中,其中,醇电子受体占含有醇电子受体的金的无机酸或金的无机盐的水溶液总体积的1/1000~1/10,然后在紫外灯下照射,得到纳米金修饰的宽禁带TiO2半导体纳晶薄膜工作电极;或
利用水热法,在含有保护剂的浓度为1.0×10-5~1.0×10-3摩尔/升金的无机酸或金的无机盐的水溶液中加入还原剂,其中保护剂∶金的无机酸或金的无机盐的摩尔比为1∶1~4∶1,还原剂占含有保护剂和还原剂的金的无机酸或金的无机盐的水溶液总体积的1/3~2/3;在高压釜中于温度为100~200℃下合成出纳米金水溶胶;而后将步骤1)制备好的宽禁带TiO2半导体纳晶薄膜工作电极浸入到纳米金水溶胶中,以使金胶体吸附在工作电极表面;将得到的金胶体吸附后的工作电极取出,在250~500℃温度下烧结,以除去工作电极表面吸附的金水溶胶中的保护剂和还原剂,同时增强Au颗粒与工作电极之间的结合程度,得到纳米金修饰的宽禁带TiO2半导体纳晶薄膜工作电极;
3)将步骤2)制备的纳米金修饰的宽禁带TiO2半导体纳晶薄膜工作电极浸入到含有10-6~10-3摩尔/升的共轭聚合物光敏剂的有机溶剂中,于黑暗处浸泡12~60小时;
所述的共轭聚合物光敏剂是聚噻吩衍生物。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征是:步骤2)所述的将步骤1)制备好的宽禁带TiO2半导体纳晶薄膜工作电极浸入到浓度为1.0×10-8~1.0×10-6摩尔/升金的无机酸或金的无机盐的水溶液中的浸泡时间为2~20小时。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征是:步骤2)所述的将步骤1)制备好的宽禁带TiO2半导体纳晶薄膜工作电极浸入到纳米金水溶胶中的时间是5~20小时。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征是:步骤2)所述的紫外灯是20~100瓦,照射时间是0.5~3小时。
5.根据权利要求1或3所述的方法,其特征是:所述的纳米金颗粒的粒径为1~30nm,其在工作电极表面的覆盖度为1×10-12~1×10-9mol/cm2。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征是:所述的TiO2胶体中的TiO2的粒度为10~80纳米。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的聚噻吩衍生物的分子结构式是:
其中:n=100~200。
8.根据权利要求1或2所述的方法,其特征是,所述的金的无机酸是HAuCl4或HAu(NO3)4;所述的金的无机盐是KAuCl4。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的醇是甲醇或乙醇。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的保护剂为丙烯酸钠或柠檬酸;
所述的有机溶剂为二氯甲烷、氯仿或四氢呋喃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





