[发明专利]一种利用外部存储器实现卷积交织/解交织的方法及设备有效

专利信息
申请号: 200810100905.0 申请日: 2008-02-26
公开(公告)号: CN101237240A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 邓周;戴书胜;强辉;李洪广 申请(专利权)人: 北京海尔集成电路设计有限公司
主分类号: H03M13/27 分类号: H03M13/27;H03M13/23
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100088北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 外部 存储器 实现 卷积 交织 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种利用外部存储器实现的卷积交织/解交织方法,所述方法包括:

在片内缓存器中缓存交织/解交织数据;

当写满/读空所述片内缓存器时,与存储控制器进行通信;以及

通过存储控制器将所述交织/解交织数据写入外部存储器或者从外部存储器读出所述交织/解交织数据。

2.如权利要求1所述的方法,还包括:

对所述写入/读出的交织/解交织数据进行位宽变换。

3.如权利要求1所述的方法,还包括:

所述缓存交织/解交织数据的步骤采用了乒乓操作。

4.如权利要求1所述的方法,其中将所述交织/解交织数据写入外部存储器或者从外部存储器读出所述交织/解交织数据的步骤采用了RAM整体循环移位法。

5.如权利要求4所述的方法,其中所述RAM整体循环移位法的特征在于:

在宽度为B,深度为M的卷积交织中,若在片内对每支路缓存K个交织数据,则可将K个交织数据视为1个数据组,将相应卷积交织深度视为这样,在宽度为B,深度为的卷积交织中,若第n支路地址为An,则下一拍第n+1支路地址为:

交织:An+1=(An+nMK)mod(B(B-1)M2K+1)]]>

解交织:An+1=(An+(B-n-1)MK)mod(B(B-1)M2K+1)]]>

若每个数据组对应外部存储器的1块大小为L的连续地址空间,则第n+1支路数据组对应外部存储器的读写起始地址为

ADDRn+1=An+1·L

共需外部存储器地址空间为

NADDR=(B(B-1)M2K+1)·L]]>

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