[发明专利]存储器的操作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种可电擦除且可编程只读存储器的操作方法， 且特别是有关于一种虚拟接地(virtual-ground)的或非门(NOR)型 存储器的操作方法。

背景技术

电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)是一种可进行多次数据 的存入、读取或擦除等动作且存入的数据在断电后也不会消失的非易 失性存储器。电可擦写可编程只读存储器中最典型的是闪存。而电荷 陷入层型存储器则是一种以氮化硅取代典型的闪存的掺杂多晶硅浮置 栅极(floating gate)的电可擦写可编程只读存储器。电荷陷入层型存 储器的电荷陷入层的材质通常是氮化硅，且此种氮化硅电荷陷入层上 下通常各有一层氧化硅，控制栅极以及衬底的材质通常是多晶硅或 硅，因此，此种元件通称为硅/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅(SONOS) 元件。由于氮化硅具有捕捉电子的特性，注入电荷陷入层之中的电子 会集中于电荷陷入层的局部区域上，通常，氮化硅层中接近漏极的区 域以及接近源极的区域可分别储存一位(bit)，因此，此种存储单元 是一种每一存储单元有二个位的存储元件。

典型的SONOS存储器在操作时，是先选定单一个存储单元，对 所选定的单一存储单元的控制栅极所对应的字线施加偏压并在其漏极 所对应的位线施加偏压，而其它的字线则施以0伏特的电压；其它的 位线则施以0伏特的电压或浮置，以使得电子或空穴注入于氮化硅层 中接近漏极之处，改变其启始电压。然而，此种以逐单元写入的方式 来进行编程方法相当耗时，而且启始电压的分布较广，在读取时容易 有误判的情形。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于在提供一种存储器的操作方 法，其可以缩短编程的时间。

本发明的主要目的还在于提供一种存储器的操作方法，可使各数 据状态的启始电压的分布较窄。

本发明提出一种存储器的操作方法，此存储器包括多个存储单元 所构成的存储单元阵列，各存储单元包括一第一位与一第二位。此操 作方法包括选择一存储单元行，并同时编程所选的存储单元行所对应 的多个存储单元，使存储单元的第一位达到预定的编程状态。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法中，在进行编 程存储单元行所对应的存储单元时，同时在所选的存储单元行所对应 的存储单元的多条字线施加多个预定偏压。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法中，预定的编 程状态是多个具有不同启始电压分布的编程状态。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法中，在进行编 程所选的存储单元行所对应的存储单元时，与所选的存储单元行的上 述存储单元相邻且共享相同位线的存储单元的第二位同时达到多个无 用状态，各上述无用状态与相邻的所选的存储单元行的上述存储单元 的第一位的预定的编程状态相同。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法中，第一位为 有用位；第二位为无用位。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法进一步包括在 读取时，仅读取所选的上述存储单元的第一位的编程状态，不读取所 选的上述存储单元的无用位的无用状态。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法中，在进行上 述编程时，是藉由诱发单侧偏压收敛效应，以使电荷注入于所选定的 上述存储单元行的存储单元中。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法进一步包括在 进行擦除时，藉由诱发双侧偏压电荷注入效应或Fowler-Nordheim电 荷隧穿效应或价带-导带隧穿热电荷注入效应，以使电荷注入于该存储 单元阵列的各该多个存储单元中。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法中，在进行上 述编程时，是藉由诱发单侧偏压收敛效应，以使电子注入于所选定的 上述存储单元行的存储单元中。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法进一步包括在 进行擦除时，藉由诱发双侧偏压空穴注入效应、价带-导带隧穿热空穴 注入效应，以使电子注入于上述存储单元阵列的各上述存储单元中。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法中，上述存储 单元为多阶存储单元。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法中，上述存储 单元阵列为一虚拟接地(virtual-ground)的或非门型存储单元阵列。

依照本发明实施例所述，上述的存储器的操作方法中，存储单元 是以逐列方式进行编程。