[发明专利]存储器的操作方法

权利要求书

1.一种存储器的操作方法，该存储器包括多个存储单元所构成的 存储单元阵列，各存储单元包括一第一位与一第二位，其特征在于， 该操作方法包括：

选择一存储单元行，并同时编程所选的该存储单元行所对应的该 多个存储单元，使该多个存储单元的该多个第一位达到多个预定的编 程状态；在进行该编程时，是藉由诱发单侧偏压收敛效应，以使电荷 注入于所选定的该存储单元行的该多个存储单元中。

2.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，在进 行编程该存储单元行所对应的该多个存储单元时，同时在所选的该存 储单元行所对应的该多个存储单元的多条字线施加多个预定偏压。

3.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，该多 个预定的编程状态是多个具有不同启始电压分布的编程状态。

4.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，进一 步包括在进行擦除时，藉由诱发双侧偏压电荷注入效应或 Fowler-Nordheim电荷隧穿效应或价带-导带隧穿热电荷注入效应，以使 电荷注入于该存储单元阵列的各该多个存储单元中。

5.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，该存 储单元阵列为一虚拟接地的或非门型存储单元阵列。

6.一种存储器的操作方法，该存储器包括多个存储单元所构成的 存储单元阵列，各存储单元包括一第一位与一第二位，其特征在于， 该操作方法包括：

选择一存储单元行，并同时编程所选的该存储单元行所对应的该 多个存储单元，使该多个存储单元的该多个第一位达到多个预定的编 程状态；其中该编程是逐列编程该多个存储单元，其中连接到相同位 线的同列的该多个存储单元同时被编程；在对一所选的存储单元行的 该多个存储单元进行编程时，是藉由诱发单侧偏压收敛效应，以使电 荷注入于所选定的该存储单元行的该多个存储单元中。

7.根据权利要求6所述的存储器的操作方法，其特征在于，在进 行各个编程时，同时在所选的一存储单元行的该多个存储单元所对应 的多条字线施加多个预定偏压。

8.根据权利要求6所述的存储器的操作方法，其特征在于，该存 储单元阵列为一虚拟接地的或非门型存储单元阵列。