[发明专利]对光刻胶具有高选择比的无卤素无定形碳掩膜蚀刻方法

权利要求书

1.一种在多层掩膜中蚀刻特征的方法，包括：

提供具有包括图案化光刻胶层和无定形碳层的多层掩膜的衬底；

使用包含O₂、N₂和CO的等离子体蚀刻无定形碳层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中对于200mm衬底的规格，包含O₂、N₂和CO的等离子体由低于75W的源功率和至少为150W的偏置功率激励。

3.根据权利要求1所述的方法，其中O₂∶N₂∶CO的气体比在1∶1∶1至1∶1∶3之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中O₂流量在15至50sccm之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中无定形碳层是Advance PatterningFilm^TM。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在蚀刻无定形碳层之前使用包含O₂的等离子体预处理形成层以氧化包含在图案化光刻胶层中的硅。

7.根据权利要求6所述的方法，其中对于200mm衬底的规格，等离子体由低于150W的偏置功率激励。

8.根据权利要求7所述的方法，其中按照200mm衬底的规格，等离子体由在200W到400W之间的源功率激励。

9.根据权利要求8所述的方法，其中图案化光刻胶层被预处理5到25秒。

10.一种在多层掩膜中蚀刻特征的方法，包括：

提供具有包括在无定形碳层之上由有机抗反射涂层分隔的图案化光刻胶层的多层掩膜的衬底，其中图案化光刻胶层包含硅；

使用第一偏置功率和第一源功率激励包含O₂的等离子体预处理图案化光刻胶层以氧化图案化光刻胶层中的硅；

使用第二偏置功率和第二源功率激励包含O₂、N₂和CO的等离子体蚀刻无定形碳层，其中第二源功率低于第一源功率。

11.根据权利要求10所述的方法还包括：

在预处理图案化光刻胶层过程中，刻穿有机抗反射涂层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中对于200mm衬底的规格，第一偏置功率低于150W而第一源功率在200W到400W之间。

13.根据权利要求10所述的方法，其中对于200mm衬底的规格，第二偏置功率至少为200W。

14.根据权利要求10所述的方法，其中第一源功率大于第二源功率。

15.根据权利要求14所述的方法，其中第二源功率为0W。

16.根据权利要求10所述的方法，还包括：

使用包含卤素的等离子体蚀刻电介质薄膜；且

使用第三偏置功率和第三源功率激励包含O₂的等离子体灰化多层掩膜的大部分。

17.根据权利要求16所述的方法，其中对于200mm衬底的规格，第三偏置功率低于150W而第三源功率至少为300W。

18.一种其上存储有一套机器可执行指令的计算机可读媒介，当通过数据处理系统执行时，使系统执行的方法包括：

提供具有包含无定形碳层上的图案化光刻胶层的多层掩膜的衬底；并且

使用包含O₂、N₂和CO的等离子体蚀刻无定形碳层。

19.根据权利要求18所述的计算机可读媒介，其中使用0W的源功率蚀刻无定形碳层。

20.根据权利要求18所述的计算机可读媒介，包含一套机器可执行指令，当通过数据处理系统执行时，使系统执行的方法还包括：

在蚀刻无定形碳层之前使用包含O₂的等离子体预处理图案化光刻胶层以氧化包含在图案化光刻胶层中的硅。