[发明专利]通过脉冲VHF操作的等离子体类型和均匀性控制

权利要求书

1.一种用于处理衬底的装置，包括：

具有设置在其中的第一和第二电极的室；

电性耦合至第一或第二电极的高频功率源，以提供第一RF信号；

电性耦合至第一或第二电极的低频功率源，以提供第二RF信号；

其中该第一RF信号具有变化的振幅。

2.权利要求1所述的装置，其中该变化的振幅是以脉冲的形式。

3.权利要求1所述的装置，其中该高频功率源的范围从约27MHz到 约200MHz。

4.权利要求2所述的装置，其中脉冲周期的范围从约1μsec至约 1000μsec。

5.权利要求2所述的装置，其中脉冲占空比的范围从约1％到约100 ％。

6.权利要求1所述的装置，其中启动或关闭该第一RF信号，以便在 室中增强电子损耗来基本上阻止室中的驻波效应。

7.权利要求6所述的装置，进一步包括：

耦合至该室的气体供应室，该气体供应室包括电子负气体添加剂，以 进一步增强电子损耗。

8.权利要求1所述的装置，其中该第一电极平行于该第二电极，该第 二电极支撑该衬底。

9.一种用于控制电容耦合的处理室中等离子体的方法，包括

提供具有设置在其中的第一和第二电极的室；

耦合高频功率源至第一或第二电极；

耦合低频功率源至第一或第二电极；以及

改变该高频功率源的振幅，以控制等离子体的离子和电子密度。

10.权利要求9所述的方法，其中改变该振幅进一步包括：启动或关 闭该高频功率源。

11.权利要求9所述的方法，其中该高频功率源的范围从约27MHz到 约200MHz。

12.权利要求10所述的方法，其中脉冲周期的范围从约1μsec至约 1000μsec。

13.权利要求10所述的方法，其中脉冲占空比的范围从约1％到约 100％。

14.权利要求10所述的方法，进一步包括：利用脉冲控制该室中空间 等离子体的均匀性。

15.权利要求10所述的方法，进一步包括：利用脉冲控制该室中的等 离子体类型。

16.权利要求10所述的方法，进一步包括：利用脉冲在该室中产生低 能电子。

17.权利要求10所述的方法，进一步包括：利用脉冲在该室中降低等 离子体电位。

18.权利要求10所述的方法，进一步包括：除了脉冲之外施加连续波 至第一或第二电极。

19.权利要求9所述的方法，进一步包括：引入电子负气体添加剂至 耦合至该室的气体供应室，以便进一步在该室中加强电子损耗来基本上阻 止驻波效应。

20.一种用于在电容耦合的处理室中控制等离子体的系统，包括：

内部具有第一和第二电极的室；和

在该室中产生电子损耗从而由于将超高频施加到第一或第二电极而基 本上消除该室中的驻波效应的装置，且该装置耦合至该室。

21.权利要求20的系统，其中用于产生电子损耗的装置包括：

耦合至该室中的第一电极或第二电极的超高频脉冲源。