[发明专利]耦合电容形成电路、使用该电路的集成电路及其相关方法

权利要求书

1.一种集成电路，包含：

一核心电路；

多个输入输出电路，耦接至该核心电路；以及

多个连接垫，分别耦接至所述输入输出电路；

其中所述连接垫中一部份被连接而另一部份未被连接，且至少一未被 使用的输入输出电路耦接至一未被连接的连接垫；

其中所述输入输出电路中每一输入输出电路包含：

一第一P型金属氧化物半导体晶体管，其漏极耦接至一第二预定电压；

一第一N型金属氧化物半导体晶体管，其漏极耦接至该第二预定电压；

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，其源极耦接一第一预定电压且 其漏极耦接该第一预定电压与该连接垫，且其栅极耦接至该第二预定电压、 该第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极以及该第一N型金属氧化物半 导体晶体管的漏极；

一第三P型金属氧化物半导体晶体管，其漏极耦接至该第一预定电压；

一第二N型金属氧化物半导体晶体管，其漏极耦接至该第一预定电压； 以及

一第三N型金属氧化物半导体晶体管，其漏极耦接该第二预定电压与 该连接垫；

其中，至少一输入输出电路作为正常输入输出电路使用，其中打断部 分线路，使得：

该第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极、该第一N型金属氧化物 半导体晶体管的漏极和该第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极均不耦 接该第二预定电压，该第三P型金属氧化物半导体晶体管的漏极、该第二N 型金属氧化物半导体晶体管的漏极和该第三N型金属氧化物半导体晶体管 的栅极均不耦接该第一预定电压，该第二P型金属氧化物半导体晶体管的 漏极不耦接该第一预定电压，且该第三N型金属氧化物半导体晶体管的漏 极不耦接该第二预定电压；

而该未被使用的输入输出电路的线路被打断，使得该未被使用的输入 输出电路中：

该第二P型金属氧化物半导体晶体管的该栅极不耦接该第一P型金属 氧化物半导体晶体管和该第一N型金属氧化物半导体晶体管，亦使得该第 二P型金属氧化物半导体晶体管的该漏极不耦接该连接垫，还使得该第三N 型金属氧化物半导体晶体管的该栅极不耦接该第三P型金属氧化物半导体 晶体管和该第二N型金属氧化物半导体晶体管，藉此形成耦合电容。

2.一种集成电路，包含：

一核心电路；

多个输入输出电路，耦接至该核心电路；以及

多个连接垫，分别耦接至所述输入输出电路；

其中所述连接垫中一部份被连接而另一部份未被连接，且至少一未被 使用的输入输出电路耦接至一未被连接的连接垫；

其中所述输入输出电路中每一输入输出电路包含：

一金属氧化物半导体晶体管，其漏极耦接至一第一预定电压与一第二 预定电压与其栅极，而该金属氧化物半导体晶体管的该栅极亦耦接至该第 一预定电压与该第二预定电压，且该金属氧化物半导体晶体管的源极耦接 该第二预定电压与该栅极；

其中，至少一输入输出电路作为正常输入输出电路使用，其中打断部 分线路，使得：

该金属氧化物半导体晶体管的栅极不耦接至该第一预定电压和该金属 氧化物半导体晶体管的漏极，且该金属氧化物半导体晶体管的漏极不耦接 至该第二预定电压；

其中该未被使用的输入输出电路的线路被打断，使得该未被使用的输 入输出电路中：

该金属氧化物半导体晶体管的该漏极不耦接至该第一预定电压与该金 属氧化物半导体晶体管的该栅极，且使得该金属氧化物半导体晶体管的该 栅极不耦接至该第二预定电压。