[发明专利]动态随机存取存储器元件包

权利要求书

1.一动态随机存取存储器元件包，包含：

一基板，其由半导体材料所构成，具有一主体表面；

一晶体管，形成于该主体表面；以及

一磁电容，形成于一金属层，且该金属层位于该晶体管的上方。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于该晶体管包含：

一源极区域；

一漏极区域；以及

一控制栅极，位于该源极区域与该漏极区域之间，该控制栅极与该基板之间以一薄控制介电层相隔。

3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于该磁电容包含：

一第一电极；

一介电层，形成于该第一电极之上；以及

一第二电极，形成于该介电层之上。

4.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于还包含一线路区域，位于该晶体管与该磁电容之间，提供动态随机存取存储器元件包的线路连接。

5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于该磁电容的漏电流量为少量至零，以有效降低或消除动态随机存取存储器的恢复率。

6.根据权利要求5所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于当动态随机存取存储器的恢复率消除时，该动态随机存取存储器元件包为非挥发性。

7.根据权利要求5所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于当动态随机存取存储器的恢复率消除时，移除一恢复电路。

8.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于该磁电容具有高电容量而耐得住高度幅射量。

9.一动态随机存取存储器元件包，包含：

一基板，其由半导体材料所构成，具有一主体表面；

一晶体管，形成于该主体表面；以及

一磁电容，形成于多个金属层，且该些金属层位于该晶体管的上方；

其中当动态随机存取存储器元件包需要较高的电容量时，这些金属层提供所需的电容量。

10.根据权利要求9所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于该晶体管包含：

一源极区域；

一漏极区域；以及

一控制栅极，位于该源极区域与该漏极区域之间，该控制栅极与该基板之间以一薄控制介电层相隔。

11.根据权利要求9所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于该磁电容包含：

多个电极；以及

多个介电层，其中这些介电层分别配置于两相邻的这些电极之间。

12.根据权利要求9所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于还包含一线路区域，位于该晶体管与该磁电容之间，提供动态随机存取存储器元件包的线路连接。

13.根据权利要求9所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于该磁电容的漏电流量为少量至无，以有效降低或消除动态随机存取存储器的恢复率。

14.根据权利要求13所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于当动态随机存取存储器的恢复率消除时，该动态随机存取存储器元件包为非挥发性。

15.根据权利要求13所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于当动态随机存取存储器的恢复率消除时，移除一恢复电路。

16.根据权利要求9所述的动态随机存取存储器元件包，其特征在于该磁电容具有高电容量而耐得住高度幅射量。