[发明专利]嵌入式动态随机存取存储器有效

专利信息
申请号: 200810091755.1 申请日: 2008-04-14
公开(公告)号: CN101286362A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 许国源 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/4076 分类号: G11C11/4076
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨;吴世华
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 嵌入式 动态 随机存取存储器
【权利要求书】:

1.一种嵌入式动态随机存取存储器,包括:

一时钟信号;

耦接至该时钟信号的至少一延迟锁相环电路,并且在经过配置后产生多个控制信号,其中每一控制信号基于该时钟信号而具有一预设延迟;以及

耦接至所述控制信号的至少一嵌入式DRAM阵列;

其中,该嵌入式DRAM阵列产生多个操作步骤且由所述控制信号控制。

2.如权利要求1所述的嵌入式动态随机存取存储器,其中,该DLL电路包括一反馈回路。

3.如权利要求1所述的嵌入式动态随机存取存储器,其中,该DLL电路包括一多相时钟分割。

4.如权利要求1所述的嵌入式动态随机存取存储器,其中,该预设延迟与该时钟信号的一周期时间成常比。

5.如权利要求1所述的嵌入式动态随机存取存储器,其还包括耦接于该时钟信号与该DLL电路间的一接收启动电路,其用以在一系统需要时控制该DLL电路的启动。

6.一种嵌入式动态随机存取存储器,包括:

一时钟信号;

耦接至该时钟信号的至少一DLL电路,并且在经过该时钟信号的一多相分割配置后产生多个控制信号,其中每一控制信号基于该时钟信号而具有一预设延迟;以及

耦接至所述控制信号的至少一嵌入式DRAM阵列;

其中,该嵌入式DRAM阵列产生多个操作步骤且由所述控制信号控制。

7.如权利要求6所述的嵌入式动态随机存取存储器,其中,该DLL电路包括一反馈回路。

8.如权利要求6所述的嵌入式动态随机存取存储器,其中,该预设延迟与该时钟信号的一周期时间成常比。

9.如权利要求6所述的嵌入式动态随机存取存储器,其中,所述操作步骤包括开启一选择的字线,启动多个感应放大器,启动多个选择的列,以及关闭该选择的字线。

10.如权利要求6所述的嵌入式动态随机存取存储器,其还包括耦接于该时钟信号与该DLL电路间的一接收启动电路,其用以在一系统需要时控制该DLL电路的启动。

11.一种嵌入式动态随机存取存储器,包括:

一时钟信号;

耦接至该时钟信号的至少一DLL电路,并且在经过配置后产生多个控制信号,其中每一控制信号基于该时钟信号而具有一预设延迟,且该预设延迟与该时钟信号的一周期时间成常比;以及

耦接至所述控制信号的至少一嵌入式DRAM阵列;

其中,该嵌入式DRAM阵列产生多个操作步骤且由所述控制信号控制。

12.如权利要求11所述的嵌入式动态随机存取存储器,其中,该DLL电路包括一反馈回路。

13.如权利要求11所述的嵌入式动态随机存取存储器,其中,该DLL电路包括一多相时钟分割。

14.如权利要求11所述的嵌入式动态随机存取存储器,其还包括耦接于该时钟信号与该DLL电路间的一接收启动电路,其用以在一系统需要时控制该DLL电路的启动。

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