[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

输出电路；

根据包括在所述输出电路中的晶体管的源极的电位来选择正向偏压及反向偏压之一的阈值控制电路；以及

将所述阈值控制电路所选择的所述正向偏压及所述反向偏压之一施加到包括在所述输出电路中的所述晶体管的栅极的电源控制电路。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述晶体管是薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述晶体管是薄膜晶体管，该薄膜晶体管将其介电常数比氧化硅高的绝缘膜用作栅极绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述晶体管是n沟道型晶体管。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述晶体管是p沟道型晶体管。

6.一种显示装置，包括：

输出电路；

根据包括在所述输出电路中的晶体管的源极的电位来选择正向偏压及反向偏压之一的阈值控制电路；以及

将所述阈值控制电路所选择的所述正向偏压及所述反向偏压之一施加到包括在所述输出电路中的所述晶体管的栅极的电源控制电路，

其中，将所述反向偏压施加到所述晶体管的栅极的第一时间取决于将所述正向偏压施加到所述晶体管的栅极的第二时间。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述晶体管是薄膜晶体管。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述晶体管是薄膜晶体管，该薄膜晶体管将其介电常数比氧化硅高的绝缘膜用作栅极绝缘膜。

9.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述晶体管是n沟道型晶体管。

10.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述晶体管是p沟道型晶体管。

11.一种显示装置，包括：

输出电路；

根据包括在所述输出电路中的晶体管的源极的电位来选择正向偏压及反向偏压之一的阈值控制电路；以及

将所述阈值控制电路所选择的所述正向偏压及所述反向偏压之一施加到包括在所述输出电路中的所述晶体管的栅极的电源控制电路，

其中，所述阈值控制电路包括测量将所述正向偏压施加到所述晶体管的栅极的第一时间的测量电路、以及使用所述第一时间来算出将所述反向偏压施加到所述晶体管的栅极的第二时间的运算电路。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述晶体管是薄膜晶体管。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述晶体管是薄膜晶体管，该薄膜晶体管将其介电常数比氧化硅高的绝缘膜用作栅极绝缘膜。

14.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述晶体管是n沟道型晶体管。

15.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述晶体管是p沟道型晶体管。

16.一种显示装置，包括：

输出电路；

根据包括在所述输出电路中的晶体管的源极的电位来选择正向偏压及反向偏压之一的阈值控制电路；以及

将所述阈值控制电路所选择的所述正向偏压及所述反向偏压之一施加到包括在所述输出电路中的所述晶体管的栅极的电源控制电路，

其中，所述阈值控制电路包括测量选择所述正向偏压的第一时间的测量电路、以及使用所述第一时间来算出选择所述反向偏压的第二时间的运算电路。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述晶体管是薄膜晶体管。

18.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述晶体管是薄膜晶体管，该薄膜晶体管将其介电常数比氧化硅高的绝缘膜用作栅极绝缘膜。

19.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述晶体管是n沟道型晶体管。

20.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述晶体管是p沟道型晶体管。