[发明专利]用于形成隐蔽布线的方法及采用其的衬底和显示装置有效
| 申请号: | 200810090242.9 | 申请日: | 2008-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN101276779A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
| 发明(设计)人: | 安田亨宁 | 申请(专利权)人: | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/84;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 形成 隐蔽 布线 方法 采用 衬底 显示装置 | ||
1.一种形成隐蔽布线的方法,所述方法包括以下步骤:
在绝缘板的表面上形成具有与所需的布线图案对应的开口的掩模;
使用所述掩模选择性地蚀刻所述绝缘板的表面,由此在绝缘板的表面中形成具有与布线图案对应的预期形状的沟槽;
以所述沟槽填充以金属纳米颗粒墨的方式、将金属纳米颗粒墨置于所述绝缘板的整个表面上,同时留下所述掩模;
加热金属纳米颗粒墨以对其进行初步固化,以形成金属纳米颗粒墨膜;
通过分离掩模选择性地去除置于所述掩模上的金属纳米颗粒墨膜的一部分,由此选择性地将金属纳米颗粒墨膜的剩余部分保留在沟槽中;以及
加热保留在沟槽中的金属纳米颗粒墨膜的剩余部分,以对其进行主固化,由此形成所需的隐蔽布线。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在选择性地蚀刻绝缘板的表面以形成沟槽的步骤和将金属纳米颗粒墨置于绝缘板的整个表面上以将所述沟槽以金属纳米颗粒墨填充的步骤之间,执行给予所述沟槽吸墨性的步骤,以增加所述沟槽内表面的表面能。
3.根据权利要求2所述的方法,其中在给予沟槽吸墨性的步骤中,采用将绝缘板暴露给等离子体的等离子体工艺,或者采用将紫外光辐射到绝缘板的紫外工艺。
4.根据权利要求2所述的方法,其中所述沟槽的内表面的表面能高于金属纳米颗粒墨的表面张力。
5.根据权利要求1所述的方法,其中金属纳米颗粒墨的金属纳米颗粒具有在从1纳米至100纳米范围内的平均直径。
6.一种用于显示装置的衬底,所述衬底包括:
绝缘板,所述绝缘板具有在所述绝缘板的表面中形成的沟槽;以及
隐蔽布线,所述隐蔽布线在所述绝缘板的沟槽中形成,
其中所述隐蔽布线由经过固化的金属纳米颗粒制成。
7.一种显示装置,所述显示装置包括:
根据权利要求6所述的、用于显示装置的衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





