[发明专利]多晶封装单元及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶粒封装单元，其特征在于包括：

一具高散热性且由金属制成并呈薄平板状的基板(1)，该基板(1)具有一设于基板 (1)表面的绝缘层(10)、一设于绝缘层(10)顶侧能供电源线连接的电路层(2)、及一设 于电路层(2)顶侧能供遮盖电路用且具绝缘性的保护层(3)；

至少一设于该保护层(3)表面且小于基板(1)并呈中空状的固定框(4)；

多个设于该固定框(4)内并与电路层(2)电性连接的LED晶粒(6)；以及

一设于该固定框(4)内且将LED晶粒(6)覆盖并能透光的封装胶体(5)。

2.如权利要求1所述的多晶粒封装单元，其特征在于：所述电路层(2)是由一N 型导电电路(20)、及P型导电电路(21)所组成。

3.如权利要求1所述的多晶粒封装单元，其特征在于：所述LED晶粒(6)设有一 能供LED晶粒(6)定位用的银胶(60)；及一能供LED晶粒(6)与电路层(2)电性连接的 金属导线(61)。

4.如权利要求1所述的多晶粒封装单元，其特征在于：所述封装胶体(5)是由一 胶体(50)、及一能吸收短波长光且放出长波长光的荧光粉(51)以比例混合而成；而所 述胶体(50)为AB胶，所述荧光粉(51)材质为下列其一：YAG荧光粉、RGB荧光粉、RG 荧光粉。

5.如权利要求1所述的多晶粒封装单元，其特征在于：所述固定框(4)的形状为 下列其一：圆形、方形。

6.如权利要求1所述的多晶粒封装单元，其特征在于：所述基板(1)的材质为下 列其一：铝、铜、镁合金。

7.如权利要求1所述的多晶粒封装单元，其特征在于：所述电路层(2)的材质为 下列其一：铜、金、银。

8.如权利要求1所述的多晶粒封装单元，其特征在于：所述绝缘层(10)的材质为 下列其一：金属氧化物、金属氮化物、高分子材料。

9.如权利要求1所述的多晶粒封装单元，其特征在于：所述固定框(4)的材质为 下列其一：金属材料、陶瓷材料、高分子材料。

10.如权利要求1所述的多晶粒封装单元，其特征在于：所述封装胶体(5)的厚度 为下列其一：等于固定框(4)的厚度、大于固定框(4)的厚度、小于固定框(4)的厚度。

11.一种多晶粒封装单元制造方法，其包括下列步骤：

第一步骤：将绝缘层(10)、电路层(2)、保护层(3)依序设置于基板(1)上，为基 板前置处理(A)；

第二步骤：将数个LED晶粒(6)用表面黏着方式，以银胶(60)设置于基板(1)上， 是为固晶(B)；

第三步骤：进行加温，使LED晶粒(6)稳固，是为短烤(C)；

第四步骤：以金属导线(61)与电路层(2)连接，使LED晶粒(6)能将电子讯号外传， 是为焊线(D)；

第五步骤：将一能包围所有LED晶粒(6)的固定框(4)设置于基板(1)上，是为安装 固定框(E)；

第六步骤：以封装胶体(5)，填入固定框(4)内，将LED晶粒(6)与线路覆盖，是为 封胶(F)；及

第七步骤：进行加温，使封装胶体(5)完全干涸、包覆，以稳固结构，是为长烤 (G)。

12.如权利要求11所述的多晶粒封装单元制造方法，其特征在于：所述电路层(2) 是通过下列其一方法所形成：化学镀膜法、物理镀膜法、贴附法。

13.如权利要求11所述的多晶粒封装单元制造方法，其特征在于：所述绝缘层(10) 是通过下列其一方法所产生：热氧化法、气相沉积、阳极处理。

14.如权利要求11所述的多晶粒封装单元制造方法，其特征在于：所述固定框(4) 是通过黏贴方式设置于基板(1)上。