[发明专利]薄膜晶体管的沟道层、薄膜晶体管及它们的制造方法

权利要求书

1.一种用于薄膜晶体管的包含掺杂有过渡金属的氧化铟锌的沟道层，

其中，掺杂有过渡金属的氧化铟锌的电导率因所述过渡金属而低于未掺 杂的氧化铟锌的电导率，

过渡金属是从由Co、Rh、Ir、Mt、Ni、Pd、Pt、Ds、Cu、Ag、Au和 Rg组成的组中选择的至少一种。

2.如权利要求1所述的沟道层，其中，沟道层由用式a(In₂O₃)·b(ZnO) 表示的材料制成，其中，a和b是这样的实数，即，a＞0且b＞0。

3.如权利要求2所述的沟道层，其中，a和b是这样的实数，即，0＜a≤1 且b≥1。

4.如权利要求1所述的沟道层，其中，过渡金属为Ni或Cu。

5.如权利要求1所述的沟道层，其中，过渡金属的掺杂浓度为10³atom/cm³～10²²atom/cm³。

6.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极和如权利要求1所述的沟道层，在基底上；

栅绝缘层，在栅电极和沟道层之间；

源电极和漏电极，接触沟道层的端部。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，栅电极在沟道层上方。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，还包括：

钝化层，在栅绝缘层和栅电极上。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，栅电极在沟道层下方。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，还包括：

钝化层，在栅绝缘层、沟道层、源电极和漏电极上。

11.一种形成使用在薄膜晶体管中的沟道层的方法，包括：

提供用于形成沟道的半导体材料层；

将半导体材料层图案化以形成沟道层，

其中，半导体材料层为掺杂有过渡金属的氧化铟锌层，掺杂有过渡金属 的氧化铟锌的电导率因所述过渡金属而低于未掺杂的氧化铟锌的电导率，过 渡金属是从由Co、Rh、Ir、Mt、Ni、Pd、Pt、Ds、Cu、Ag、Au和Rg组成 的组中选择的至少一种。

12.如权利要求11所述的方法，其中，沟道层由用式a(In2O3)·b(ZnO) 表示的材料制成，其中，a和b是这样的实数，即，a＞0且b＞0。

13.如权利要求12所述的方法，其中，a和b是这样的实数，即，0＜a≤1 且b≥1。

14.如权利要求11所述的方法，其中，过渡金属为Ni或Cu。

15.如权利要求11所述的方法，其中，过渡金属的掺杂浓度为10³atom/cm³～10²²atom/cm³。

16.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：

在基底上通过如权利要求11所述的方法来形成沟道层；

在沟道层上形成源电极和漏电极，其中，源电极和漏电极接触沟道层的 端部；

在沟道层的暴露部分以及源电极和漏电极上形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上形成栅电极。

17.如权利要求16所述的方法，还包括：

在栅绝缘层和栅电极上形成钝化层。

18.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：

在基底上形成栅电极和栅绝缘层；

在栅绝缘层上通过如权利要求11所述的方法来形成沟道层；

在沟道层上形成源电极和漏电极，其中，源电极和漏电极接触沟道层的 端部。

19.如权利要求18所述的方法，还包括：

在栅绝缘层、沟道层、源电极和漏电极上形成钝化层。