[发明专利]场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管(FET)，包括：

沟道；

覆盖所述沟道的栅极，其中所述栅极具有侧面；

与所述沟道相邻的源和漏；以及

覆盖所述FET的应力层，所述应力层具有在所述源和所述漏之上的厚度，其中在所述栅极的所述侧面的至少一部分之上，所述应力层具有小于位于所述源和所述漏之上的所述厚度的大约50％的侧面厚度，其中所述沟道处于应力下，其中所述应力通过所述应力层被引入到所述沟道上。

2.权利要求1的FET，其中所述晶体管为P型，以及其中所述应力为压缩应力。

3.权利要求1的FET，其中所述晶体管为N型，以及其中所述应力为拉伸应力。

4.权利要求1的FET，其中所述应力层基本上是氮化硅(SiN)。

5.权利要求1的FET，其中所述栅极的所述侧面的所述部分基本上没有所述应力层，其中所述应力层具有侧边，其中所述侧边与所述栅极的所述侧面邻接且基本上平行于所述侧面运行。

6.权利要求1的FET，其中所述栅极没有任何侧壁结构。

7.权利要求1的FET，其中所述沟道含于单晶Si基材料内。

8.一种器件结构，包括：

至少一个NFET器件，其中所述至少一个NFET器件包括：

含于单晶Si基材料内的N型沟道；

覆盖所述N型沟道的NFET，其中所述NFET栅极具有侧面；

与所述N型沟道相邻的NFET源和NFET漏；

覆盖所述NFET的由电介质材料形成的NFET应力层，所述NFET应力层具有在所述NFET源和所述NFET漏之上的NFET厚度，其中在所述NFET栅极的所述侧面的至少一部分之上，所述NFET应力层具有小于所述NFET厚度的大约50％的NFET侧面厚度，其中所述N型沟道处于拉伸应力下，其中所述拉伸应力通过所述NFET应力层被引入到所述N型沟道上。

至少一个PFET器件，其中所述至少一个PFET器件包括：

包括于所述Si基材料中的P型沟道；

覆盖所述P型沟道的PFET栅极，其中所述PFET栅极具有侧面；

与所述P型沟道相邻的PFET源和PFET漏；以及

覆盖所述PFET的由所述电介质材料制成的PFET应力层，所述PFET应力层具有在所述PFET源和所述PFET漏之上的PFET厚度，其中在所述PFET栅极的所述侧面的至少一部分之上，所述PFET应力层具有小于所述PFET厚度的大约50％的PFET侧面厚度，其中所述P型沟道处于压缩应力下，其中所述压缩应力通过所述PFET应力层被引入到所述P型沟道上。

9.权利要求8的器件结构，其中所述电介质材料基本上为氮化硅(SiN)。

10.权利要求8的器件结构，其中所述NFET和所述PFET栅极的所述侧面的所述部分基本上没有所述电介质材料，其中所述NFET和所述PFET应力层具有侧边，其中所述侧边分别与所述NFET和PFET栅极的所述侧面邻接且分别与所述侧面基本上平行运行。

11.一种制造场效应晶体管(FET)的方法，包括：

制造所述FET的栅极、源和漏，其中所述FET的沟道位于所述栅极的下面，其中所述栅极具有侧面，其中所述源和所述漏与所述沟道相邻；以及

以在所述栅极的所述侧面的至少一部分之上，应力层的厚度小于位于所述源和所述漏之上的所述应力层的厚度的大约50％的方式用应力层覆盖所述FET，此外，所述覆盖方式使得所述沟道处于应力下，其中所述应力通过所述应力层而被引入到所述沟道上。

12.权利要求11的方法，包括：

通过非保形沉积技术沉积所述应力层。

13.权利要求11的方法，包括：

通过保形沉积技术沉积所述应力层；

在所述应力层上沉积覆盖层；

在所述栅极上，从所述覆盖层下暴露所述应力层；以及从所述栅极除去所述应力层，其中所述应力层被转变成非保形层。

14.权利要求11的方法，其中所述应力层被选择为基本上为氮化硅(SiN)。

15.权利要求11的方法，其中所述沟道被选择包含于单晶Si基材料内。