[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

远次集电极，位于半导体衬底中且被掺杂以一种导电类型的掺杂剂；

至少一个深沟槽，位于所述半导体衬底中；

穿通区域，位于所述至少一个深沟槽的壁上和壁外部，邻接所述远次集电极，且被掺杂以所述一种导电类型的掺杂剂；以及

至少一个辅助穿通区域，位于所述穿通区域上，接触所述半导体衬底的顶表面，且被掺杂以所述一种导电类型的掺杂剂。

2.根据权利要求1的半导体结构，其中所述半导体衬底包括与所述远次集电极邻接的外延生长的半导体部分。

3.根据权利要求1的半导体结构，进一步包括保护环区域，该保护环区域直接位于所述至少一个深沟槽下方并被掺杂以另一种导电类型的掺杂剂，其中所述另一种导电类型与所述一种导电类型相反，且所述穿通区域与圆环面拓扑同胚。

4。根据权利要求1的半导体结构，进一步包括位于所述穿通区域上方和内部的电介质层。

5.根据权利要求4的半导体结构，进一步包括：

由所述电介质层围绕的填充材料；以及

所述填充材料之上的浅沟槽隔离，其中所述电介质层和所述填充材料直接位于所述浅沟槽隔离下方。

6.根据权利要求1的半导体结构，进一步包括位于所述至少一个辅助穿通区域上的金属接触件。

7.一种半导体结构，包括：

远次集电极，位于半导体衬底中且被掺杂以一种导电类型的掺杂剂；

至少一个深沟槽，位于所述半导体衬底中；

穿通区域，位于所述至少一个深沟槽的壁上和壁外部，邻接所述远次集电极，且被掺杂以所述一种导电类型的掺杂剂；

掺杂填充材料，位于所述至少一个深沟槽中，且被掺杂以所述一种导电类型的掺杂剂；以及

位于所述掺杂填充材料上的金属接触件。

8.根据权利要求7的半导体结构，其中所述半导体包括与所述远次集电极邻接的外延生长的半导体部分。

9.根据权利要求7的半导体结构，进一步包括保护环区域，该保护环区域直接位于所述至少一个深沟槽下方并被掺杂以另一种导电类型的掺杂剂，其中所述另一种导电类型与所述一种导电类型相反。

10.根据权利要求7的半导体结构，进一步包括位于所述至少一个深沟槽的所述壁上和壁内部的电介质层，其中所述电介质层和所述穿通区域都与球形拓扑同胚。

11.根据权利要求10的半导体结构，进一步包括浅沟槽隔离，其中所述电介质层和所述穿通区域直接位于所述浅沟槽隔离下方。

12.一种制造半导体结构的方法，包括：

在半导体衬底中形成远次集电极，其中所述远次集电极被掺杂以一种导电类型的掺杂剂；

在所述半导体衬底中形成至少一个深沟槽，其中所述至少一个深沟槽邻接所述远次集电极；

在所述至少一个深沟槽的壁上和壁外部形成穿通区域，其中所述穿通区域被掺杂以所述一种导电类型的掺杂剂，且邻接所述远次集电极；以及

形成辅助穿通区域，其中所述辅助穿通区域被掺杂以所述一种导电类型的掺杂剂，接触所述半导体衬底的顶表面，并邻接所述至少一个深沟槽。

13.根据权利要求12的方法，其中通过对初始半导体衬底的一部分进行离子注入，然后在所述初始半导体衬底上外延生长半导体材料，来形成所述半导体衬底中的所述远次集电极。

14.根据权利要求12的方法，进一步包括形成保护环区域，所述保护环区域直接位于所述至少一个深沟槽下方并被掺杂以另一种导电类型的掺杂剂，其中所述另一种导电类型与所述一种导电类型相反，且所述穿通区域与圆环面拓扑同胚。

15.根据权利要求12的方法，进一步包括在所述穿通区域上方和内部形成电介质层。