[发明专利]提高组件电压耐受性的双向控制装置

权利要求书

1.一种双向控制装置，其特征在于，该双向控制装置用以接收一第一输入信号源与一第二输入信号源所提供的输入信号，并用以提供二个输出信号于一第一输出信号源与一第二输出信号源，该双向控制装置包括：

一第一金属氧化物半导体场效应晶体管组，包含复数个并联的金属氧化物半导体场效应晶体管，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端是耦接于该第一输入信号源，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端是耦接于该第一输出信号源；

一第二金属氧化物半导体场效应晶体管组，包含复数个并联的金属氧化物半导体场效应晶体管，该第二金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端是耦接于该第一输入信号源，该第二金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端是耦接于该第二输出信号源；

一第三金属氧化物半导体场效应晶体管组，包含复数个并联的金属氧化物半导体场效应晶体管，该第三金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端是耦接于该第二输入信号源，且该第三金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端是耦接于该第一输出信号源；及

一第四金属氧化物半导体场效应晶体管组，包含复数个并联的金属氧化物半导体场效应晶体管，该第四金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端是耦接于该第二输入信号源，且该第四金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端是耦接于该第二输出信号源；

其中该第一金属氧化物半导体场效应晶体管组、该第二金属氧化物半导体场效应晶体管组、该第三金属氧化物半导体场效应晶体管组、与该第四金属氧化物半导体场效应晶体管组皆包含相同数目的金属氧化物半导体场效应晶体管。

2.如权利要求1所述的双向控制装置，其特征在于，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的复数个金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极是以一一对应的关系耦接于该第四金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的复数个金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。

3.如权利要求1所述的双向控制装置，其特征在于，该第二金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的复数个金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极是以一一对应的关系耦接于该第三金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的复数个金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。

4.如权利要求1所述的双向控制装置，其特征在于，每一金属氧化物半导体场效应晶体管组所包含的金属氧化物半导体场效应晶体管是皆为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

5.如权利要求4所述的双向控制装置，其特征在于，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的每一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极是耦接于该第一金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端，且该第一金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的每一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极是耦接于该第一金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端。

6.如权利要求4所述的双向控制装置，其特征在于，该第二金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的每一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极是耦接于该第二金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端，且该第二金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的每一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极是耦接于该第二金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端。

7.如权利要求4所述的双向控制装置，其特征在于，该第三金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的每一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极是耦接于该第三金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端，且该第三金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的每一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极是耦接于该第三金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端。

8.如权利要求4所述的双向控制装置，其特征在于，该第四金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的每一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极是耦接于该第四金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端，且该第四金属氧化物半导体场效应晶体管组包含的每一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极是耦接于该第四金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端。

9.如权利要求1所述的双向控制装置，其特征在于，每一金属氧化物半导体场效应晶体管组所包含的金属氧化物半导体场效应晶体管是皆为P型金属氧化物半导体场效应晶体管。