[发明专利]多晶硅太阳能电池织构层的制备方法

权利要求书

1.多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)多晶硅硅片的预处理；

2)在预处理后的多晶硅硅片表面的光刻胶材料上进行全息记录，制作二维周期性微结构；

3)以光刻胶为结构模版，采用酸性腐蚀液将结构制作到硅材料中。

2.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，其特征在于多晶硅硅片的预处理采用以下方法：将制作太阳能电池的多晶硅硅片抛光，清洗，吹干，第一次烘干，在多晶硅硅片表面甩一层正性光刻胶，第二次烘干；清洗依次经甲苯、丙酮、乙醇、去离子水清洗，再用去离子水反复冲洗；吹干用氮气吹干；第一次烘干放入真空干燥箱内烘干，第二次烘干放入真空干燥箱烘干，烘干的温度为110～130℃，烘干的时间为15～30min。

3.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，其特征在于在预处理后的多晶硅硅片表面的光刻胶材料上进行全息记录，制作二维周期性微结构采用以下方法：将覆盖有光刻胶记录材料的多晶硅硅片置入光学系统中三组衍射光束重叠干涉的区域，进行曝光和显影，再放入干燥箱内进行烘干。

4.如权利要求3所述的多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，其特征在于烘干的温度为135℃，烘干的时间为30min。

5.如权利要求3所述的多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，其特征在于曝光的时间为20～250s。

6.如权利要求3所述的多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，其特征在于所述的显影在室温条件下进行，用浓度为1.5％的NaOH显影液显影10～35s。

7.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，其特征在于以光刻胶为结构模版，采用酸性腐蚀液将结构制作到硅材料中采用以下方法：将利用全息法在多晶硅硅片记录下微结构图形的光刻胶材料作为掩膜版，对多晶硅硅片进行湿法刻蚀，然后用去离子水冲洗，再经丙酮超声清除残胶，即在多晶硅硅片上制作出具有六角周期性的微结构图样。

8.如权利要求7所述的多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，其特征在于对多晶硅硅片进行湿法刻蚀的腐蚀液用HF∶HNO₃＝1∶4的溶液，腐蚀4～15s。