[发明专利]具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件

权利要求书

1.具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件，它包括衬底(1)、埋氧层(2)、SOI层(15)、厚栅氧(10)、栅极(11)、源极(13)和漏极(14)；所述埋氧层(2)处于衬底(1)和SOI层(15)中间；所述SOI层(15)由体区(3)、漏区阱(4)、漂移区(5)、源区(7)、阱接触区(8)和漏区(9)构成；所述厚栅氧(10)处于栅极(11)和SOI层(15)之间，所述漏区(9)处于漏极(14)和漏区阱(4)之间，所述源区(7)和阱接触区(8)并排处于源极(13)和体区(3)之间；所述栅极(11)、源极(13)和漏极(14)通过层间介质(12)相互隔离；

其特征在于：整个器件还具有栅极场板(21)，所述栅极场板(21)与栅极(11)相连并在器件表面跨过栅极(11)的上方并延伸至漂移区(5)的上方；所述SOI层(15)的厚度为1μm～2μm；所述栅氧层(10)的厚度为100nm～800nm；所述体区(3)、漂移区(5)、漏区阱(4)直接与埋氧层(2)相接。

2.根据权利要求1所述的具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件，其特征在于：所述体区(3)中具有有源扩展区(6)，所述有源扩展区(6)位于厚栅氧(10)的下方并与源区(7)相连。

3.根据权利要求1或2所述的具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件，其特征在于：所述漂移区(5)由分别与体区(3)和漏区阱(4)相连且导电类型相反的p型区(17)和n型区(18)交替构成；其中，p型区(17)和n型区(18)的形状是矩形或梯形；p型区(17)和n型区(18)的浓度、宽度相同或不同。

4.根据权利要求1或2所述的具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件，其特征在于：所述漂移区(5)由分别与体区(3)和漏区阱(4)相连的p型区(17)和介质I区(19)构成；p型区(17)和介质I区(19)的形状是矩形或梯形；p型区(17)和介质I区(19)宽度相同或不同。

5.根据权利要求1或2所述的具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件，其特征在于：所述漂移区(5)由从源区到漏区方向线性变掺杂的p型区P1、P2、......Pi......、Pn-1和Pn构成，i＝1，2，...，i，...，n-1，n，p型区P1到p型区Pn浓度线性增加。

6.根据权利要求1或2所述的具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件，其特征在于：所述体区(3)是均匀掺杂或倒掺杂，倒掺杂时体区(3)底部浓度高、表面浓度低。

7.根据权利要求1或2所述的具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件，其特征在于：所述具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件具体是p型横向双扩散场效应晶体管p-LDMOSFET、n型横向双扩散场效应晶体管n-LDMOSFET、p型横向绝缘栅双极型晶体管p-LIGBT、n型横向绝缘栅双极型晶体管n-LIGBT、横向晶闸管或PN二极管。