[发明专利]栅电介质层形成过程中使用的温度控制系统及方法

权利要求书

1、一种栅电介质层形成过程中使用的温度控制系统，包括温度保持单元，用于将温度保持在预定值，其特征在于，还包括：

当前温度获得单元，用于在栅电介质层形成过程中，获得当前温度；

判断单元，用于判断该当前温度是否处于预定范围内；以及

控制单元，用于在当前温度未处于预定范围内的情况下，控制温度保持单元，使当前温度处于该预定范围内。

2、如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述预定范围为小于最大阈值的温度范围时，所述控制单元具体包括：

获得子单元，用于获得判断单元的判断结果；

第一禁止子单元，用于在获得子单元获得的结果是当前温度高于最大阈值时，禁止温度保持单元工作，使温度回落至最大阈值以下。

3、如权利要求2所述的系统，其特征在于，所述控制单元还具体包括：启动子单元，用于在当前温度回落至最大阈值以下时，重新启动温度保持单元工作。

4、如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述预定范围为大于最小阈值的温度范围；以及所述控制单元具体包括：

获得子单元，用于获得判断单元的判断结果；

第二禁止子单元，用于在获得子单元获得的结果是当前温度低于最小阈值时，禁止温度保持单元工作，使温度上升至最小阈值以上。

5、如权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括预定范围优化单元，用于优化预定范围。

6、如权利要求5所述的系统，其特征在于，所述预定范围优化单元，具体包括：

用于获得已形成的栅电介质层的性质参数的子单元；以及

用于根据获得的所述参数，优化预定范围的子单元。

7、如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述用于获得已形成的栅电介质层的性质参数的子单元，具体包括：

用于在系统的人工交互界面上，显示用于提示输入已形成的栅电介质层的性质参数的提示信息的子单元；

用于从人工交互界面上，获得输入的所述参数的子单元。

8、如权利要求5所述的系统，其特征在于，所述预定范围优化单元，具体包括：

用于在系统的人工交互界面上，显示用于提示输入新的预定范围的提示信息的子单元；

用于获得输入的新预定范围的子单元；以及

用于根据所述新预定范围，优化预定范围的子单元。

9、如权利要求1～8中任一项权利要求所述的系统，其特征在于，所述栅电介质层是通过将待形成栅电介质层的区域，置于用于形成该栅电介质层的物质中来形成的；以及

所述温度为该物质的温度。

10、如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述物质为二氯乙烯。

11、如权利要求1～8中任一项权利要求所述的系统，其特征在于，所述栅电介质层为氧化层。

12、如权利要求1～8中任一项权利要求所述的系统，其特征在于，所述栅电介质层的性质参数为栅电介质层的厚度。

13、一种栅电介质层形成过程中使用的温度控制方法，使用温度保持单元将温度保持在预定值，其特征在于，包括：

在栅电介质形成过程中，当前温度获得单元获得当前温度；

判断单元判断该当前温度是否处于预定范围内；以及

在当前温度未处于预定范围内的情况下，控制单元控制温度保持单元，使当前温度处于该预定范围内。

14、如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述预定范围为小于最大阈值的温度范围；以及所述控制，具体包括：

获得判断单元的判断结果；以及

在获得的判断结果是当前温度高于最大阈值时，禁止温度保持单元工作，使温度回落至最大阈值以下。

15、如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述控制还具体包括：在当前温度回落到最大阈值以下后，重新启动温度保持单元工作。

16、如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述预定范围为大于最小阈值的温度范围；以及所述控制，具体包括：

获得判断单元的判断结果；以及

在获得的判断结果为当前温度低于最小阈值时，禁止温度保持单元工作，使温度上升至最小阈值以上。