[发明专利]彩膜基板及其制造方法有效
| 申请号: | 200810038305.6 | 申请日: | 2008-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN101329465A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
| 发明(设计)人: | 田广彦 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1333;G03F7/00 |
| 代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 白璧华 |
| 地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 彩膜基板 及其 制造 方法 | ||
1、一种彩膜基板的制造方法,包括以下步骤:
提供一基板;
在该基板上沉积含有导电材料的挡光层,经过防反射处理后,通过光刻法形成黑矩阵;
利用光刻法在黑矩阵上依次形成色素层图案,利用光刻法刻蚀未被色素层覆盖的黑矩阵,露出黑矩阵中的导电材料;
在黑矩阵和色素层上方沉积覆盖整个基板的透明导电薄膜,该层透明导电薄膜和黑矩阵中露出的导电材料电学连接。
2、根据权利要求1所述的彩膜基板的制造方法,其特征在于所述导电材料为铬金属,所述防反射处理步骤为铬金属的氧化处理。
3、根据权利要求1所述的彩膜基板的制造方法,其特征在于所述导电材料为铝金属、所述防反射处理步骤为在铝金属层上覆盖一层有机光阻层。
4、根据权利要求1所述的彩膜基板的制造方法,其特征在于所述利用光刻法刻蚀未被色素层覆盖的黑矩阵时,利用色素层图案作为掩模版进行刻蚀,露出黑矩阵中的导电材料。
5、根据权利要求1所述的彩膜基板的制造方法,其特征在于所述色素层为R、G、B色素层。
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