[发明专利]一种p型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜，其特征在于该掺镍氧化铜薄膜材料为Cu_1-xNi_xO，x＝0.01～0.15，由脉冲等离子体沉积技术制备获得，其中薄膜厚度为30-200nm，最高电导率达到7.1S·cm^-1，可见光区域的平均透射率高于65％。

2.一种P型导电透明氧化物薄膜的制备方法，其特征是采用脉冲等离子体沉积镀膜技术，具体步骤如下：以掺镍氧化铜Cu_1-xNi_xO，x＝0.01～0.15的陶瓷靶为烧蚀靶材，玻璃为基板，在基板温度为室温的条件下，用脉冲电子束轰击靶材，使靶材被烧蚀出来并利用剩余的动能运动到基板表面沉积而形成薄膜，工作气体设定为O₂，气压维持在2.6～3.4Pa，高压直流功率输出源设定工作电压为-15.5～-18kV，工作电流为2.7～5.1mA，脉冲电子束重复频率为2.0Hz，生长时间为15～60分钟，即形成所需具有非晶结构的P型导电透明掺镍氧化铜薄膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是基板温度为28-30℃。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是工作气体设定为O₂，气压维持在2.8～3.2Pa。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是工作电压-16～-17kV，工作电流3.5～4.5mA，脉冲电子束重复频率2.0Hz，生长时间为40～60分钟。