[发明专利]一种可提高质量的介质隔离结构制作方法

权利要求书

1.一种提高质量的介质隔离结构制作方法，该介质隔离结构制作在一具有多个凸部或凹槽的硅衬底上且其具有依次层叠的第一层和第二层介质，该方法包括以下步骤：a、通过第一化学气相沉积工艺沉积该第一层介质；b、通过第二化学气相沉积工艺沉积该第二层介质；c、进行化学机械抛光工艺；其中，该第一化学气相沉积工艺的缝隙填充能力大于第二化学气相沉积工艺的缝隙填充能力，其特征在于，该方法在步骤a和步骤b间还进行一热处理除气步骤，且该热处理除气步骤的处理温度范围为350至450摄氏度，处理时间范围为50至100秒，处理惰性气体的流量为1000至15000标况毫升每分，处理腔压力范围为100至800帕斯卡，该第一化学气相沉积工艺为高深宽比沉积工艺，该第二化学气相沉积工艺为高浓度等离子体化学气相沉积工艺、等离子增强化学气相沉积工艺、次常压化学气相沉积工艺或等离子体增强正硅酸乙酯化学气相沉积工艺。

2.根据权利要求1所述的提高质量的介质隔离结构制作方法，其特征在于，该第一层介质的厚度占该介质隔离结构总厚度的12％至25％。

3.根据权利要求1所述的提高质量的介质隔离结构制作方法，其特征在于，该介质隔离结构为金属前介质，相应地该硅衬底上具有多个凸部。

4.根据权利要求3所述的提高质量的介质隔离结构制作方法，其特征在于，该凸部为栅极。

5.根据权利要求1所述的提高质量的介质隔离结构制作方法，其特征在于，该介质隔离结构为浅沟槽隔离结构，相应地该硅衬底上具有对应的凹槽。

6.根据权利要求5所述的提高质量的介质隔离结构制作方法，其特征在于，该凹槽为用于容纳该浅沟槽隔离结构的凹槽。