[发明专利]精确匹配电流镜

权利要求书

1、一种精确匹配电流镜，包括：

第一PMOS管，它的漏极来自输入参考电流信号，它的源极与电压源相连，它的栅极与第二PMOS管的栅极相连，它的衬底与电压源相连；

第二PMOS管，它的漏极来自输出参考电流信号，它的源极与电压源相连，它的栅极与第一PMOS管的栅极相连，它的衬底与电压源相连；

第三运算放大器，它的输出端与第一PMOS管的栅极相连，并第二PMOS管的栅极相连，它的正输入端与第一PMOS管的漏极相连，它的负输入端与第二PMOS管的漏极相连；

第四电平转换电路，它的输入端与所述第二PMOS管的漏极相连；

第五NMOS管，它的漏极与所述第四电平转换电路的输出端相连，它的衬底与地相连；

第六NMOS管，它的漏极与所述第五NMOS管的源极相连，它的栅极与所述第四电平转换电路的输出端相连，并与所述第五NMOS管的漏极相连，它的源极与地相连，它的衬底与地相连；

第七运算放大器，它的输出端与第五NMOS管的栅极相连，它的正输入端与一个参考电压相连，它的负输入端与所述第五NMOS管的源极相连，并与所述第六NMOS管的漏极相连。

2、根据权利要求1所述精确匹配电流镜，其特征在于，该电路结构可以由单个集成电路实现，也可以由分立元器件和集成电路块组合实现；

3、根据权利要求1所述精确匹配电流镜，其特征在于，与所述第一PMOS管的漏极相连的输入参考电流信号，可以由任何在集成电路中实现电流信号产生的电路来实现，也可以由任何分立元器件实现电流信号产生的电路来实现，也可以由任何集成电路块实现电流信号产生的电路来实现，也可以由分立元器件和集成电路块组合实现；

4、根据权利要求1所述精确匹配电流镜，其特征在于，所述第四电平转换电路，它的输入端与所述第二PMOS管的漏极相连，它的输出端与所述第五NMOS管的漏极相连，它可以由任何在集成电路中实现电压电平转换的电路来实现，也可由任何分立元器件实现电压电平转换的电路来实现，也以由任何集成电路块实现电压电平转换的电路来实现，也可由分立元器件和集成电路块组合实现；

5、根据权利要求1所述精确匹配电流镜，其特征在于，所述第三运算放大器，它的输出端与第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极相连，它的正输入端与第一PMOS管的漏极相连，它的负输入端与第二PMOS管的漏极相连，确保了第一PMOS管的和第二PMOS管的栅源电压相等，同时确保了第一PMOS管的和第二PMOS管的漏源电压相等，从而保障了流过第一PMOS管的电流和流过第二PMOS管的电流之比与第一PMOS管的宽长比和第二PMOS管的宽长比之比值相等；

6、根据权利要求1所述精确匹配电流镜，其特征在于，所述第七运算放大器，它的输出端与第五NMOS管的栅极相连，它的正输入端与一个参考电压相连，它的负输入端与所述第五NMOS管的源极相连，并与所述第六NMOS管的漏极相连，确保了所述第六NMOS管的漏源电压和所述第七运算放大器的正输入端参考电压电压相等；

7、根据权利要求1所述精确匹配电流镜，其特征在于，所述第六NMOS管，它的漏极与所述第五NMOS管的源极相连，它的栅极与所述第四电平转换电路的输出端相连，并与所述第五NMOS管的漏极相连，它的源极与地相连，它的衬底与地相连，确保了所述第六NMOS管的栅源电压和所述第五NMOS管的漏极电压相等，从而确保了流过所述第六NMOS管的源漏电流与流过所述第二PMOS管的源漏电流相等。