[发明专利]一种可调电压基准电源的制备方法有效
| 申请号: | 200810028786.2 | 申请日: | 2008-06-11 |
| 公开(公告)号: | CN101290868A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
| 发明(设计)人: | 胥小平;张富启;晏承亮;沓世我;赖小军;黄海文 | 申请(专利权)人: | 广东风华高新科技股份有限公司;肇庆风华新谷微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/78;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人: | 罗晓林 |
| 地址: | 526020广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 可调 电压 基准 电源 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种可调电压基准电源的制备方法。
技术背景
随着电子产品朝轻薄化、数字化和多功能三大趋势的发展,基准电源作为电子产品的重要部件,其地位也越来越高。目前,各种便携式电子产品层出不穷。对基准电源提出了越来越高的要求。因而,提高电源效率、降低电源功耗、保证电源精度已经成为基准电源开发的重点。
但现有可调电压基准电源制造工艺没有达到客户的要求,存在外形封装尺寸不理想,电压精度及对档率未达标、输出电压范围相对较窄、工作温度无法满足正常生产需要等不足。
发明内容
本发明提供可调电压基准电源的制备方法,该方法通过材料的相关选择及工艺参数的设定有机地结合起来,使产品比同类可调电压基准电源在产品具有体积小,重量轻,外形封装尺寸适合SMT安装,电压精度高,输出电压范围宽,低输出阻抗和低温度系数的特点。
本发明的技术方案是:一种可调电压基准电源的制备方法,该方法的实施步骤如下:(1)划片;(2)粘片;(3)前固化;(4)压焊;(5)塑封;(6)去溢料;(7)表面处理;(8)成型分离;(9)测试打标编带;(10)包装入库。
所述划片具体操作参数为:烘片加热时间为1-3分钟;烘片加热温度为95-105℃;划片进刀速度为40-80毫米/秒;划片旋转轴转速为28000-32000转/分钟;划片刀高为50-60微米;纯水电阻率为13-15兆欧·厘米;纯水清洗时间为1-3分钟;清洗时氮气吹扫时间为1-2分钟;
所述粘片具体操作参数为:粘片压力为30-70克;芯片推力≥286.1克;
所述前固化包括四个阶段,具体参数为:第一个阶段温度由25℃升至60℃,变化持续时间为15-25分钟;第二个阶段温度由60℃升至175℃,变化持续时间为55-65分钟;第三个阶段温度保持为170-180℃,温度保持时间为35-45分钟;第四个阶段,温度由第三阶段所保持的温度降至80℃,变化持续时间为55-65分钟;
所述压焊的金线拉力为≥4.0克;焊线温度为230-250℃;
所述塑封具体操作参数为:模具温度为165-175℃;合模压力为30-60吨;固化时间为45-90秒;注塑压力为1.2-2.0吨,注塑时间为5-15秒;
所述去溢料具体操作参数为:电解药水温度为55-65℃;药水比重为6-8婆;喷水压力为300-600千克;钢带速度为2.0-6.0米/分钟;电解电流为150-300安;
所述表面处理具体操作参数为:电解除油比重为4.0-9.0婆;中和液比重为2.0-5.0婆;电镀液中包括140-240克/升的游离酸和25-60克/升的二价锡和25-45克/升的添加剂;采用纯锡无铅工艺,锡层厚度为6-12微米。
所述测试打标编带具体操作参数为:激光扫描速度为1200-1500毫米/秒;编带温度为230-270℃;编带时间为120-180毫秒。
该可调电压基准电源的制备方法中,芯片在温度25℃-30℃时,符合如下测试条件:
(1)当阴极连续电流IK=10毫安,阴极电压VKA=输入基准电压VREF时,在输出精度为0.5%的情况下,输入基准电压VREF范围为2.489-2.511伏;在输出精度为1.0%的情况下,输入基准电源VREF范围为2.477-2.523伏;在输出精度为1.5%的情况下,输入基准电源VREF范围为2.464-2.536伏;
(2)当阴极连续电流IK=10毫安,阴极电压VKA=输入基准电压VREF时,在0℃≤TA≤70℃条件下,参考电压变化率ΔVREF≤17毫伏;
(3)当阴极连续电流IK=10毫安,阴极电压VKA为2.5-10伏时,阴极电压对参考电压变化率ΔVREF/ΔVKA的绝对值≤2.68毫伏/伏;当阴极连续电流IK=10毫安,阴极电压VKA在10-36伏时,阴极电压对参考电压变化率ΔVREF/ΔVKA绝对值≤1.98毫伏/伏;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





