[发明专利]光学级单面长石英晶体生长工艺

权利要求书

1.一种光学级单面长石英晶体生长工艺，首先清洗籽晶、石英石原料，配制去离子水及生长液，用去离子水清洗高压釜并用隔膜泵抽干，然后在清洗好的釜内放入装有石英石的原料筐，注入已配制好的生长液和挂有籽晶的籽晶架，量好液面，将釜口密封，再启动控温系统，加热高压釜，对密封的高压釜调整温度、压力、时间参数，使石英晶体生长成型，其特征在于：

a、籽晶选光学级石英晶体脉理为A级；

b、籽晶片Z方向一边用铁片阻挡，并将籽晶片和铁片粘连横放在籽晶架上；

c、生长液由当量浓度为1.3±0.05mol/L的NaOH和当量浓度均为0.07±0.01mol/L的LiOH·H₂O和NaNO₂组成；

d、釜内填充度满足V_液＝(V_{釜内总体积}-V_{原料筐体积}-V_{籽晶架体积}-V_原料体积-V_籽晶体积)×(83.5-84.5)％；

e、高压釜加热

在生长区自上而下设置测温点T₁和T₂，在溶解区自上而下设置测温点T₃、T₄和T₅，升温阶段的温度与时间参数，每个测温点温度范围控制在±3℃，时间参数范围控制在±1小时，在选择的每一具体工艺中，每一测温点温度精度控制在±0.1℃：

T₁：生长区第一点温度开始为室温，在6小时内升至100℃，在14小时内升至250℃，此时恒温6小时，在10小时内升至320℃，6小时内升至330℃，10小时内升至335℃，最后缓缓升温20小时达到恒温温度340℃；

T₂：生长区第二点温度开始为室温，在6小时内升至105℃，在14小时内升至255℃，此时恒温6小时，在10小时内升至325℃，6小时内升至335℃，10小时内升至337℃，最后缓缓升温20小时达到恒温温度340℃；

T₃：溶解区第一点温度开始为室温，在6小时内升至120℃，在14小时内升至270℃，此时恒温6小时，在10小时内升至340℃，6小时内升至350℃，10小时内升至360℃，最后缓缓升温20小时达到恒温温度375℃；

T₄：溶解区第二点温度开始为室温，在6小时内升至120℃，在14小时内升至270℃，此时恒温6小时，在10小时内升至340℃，6小时内升至350℃，10小时内升至360℃，最后缓缓升温20小时达到恒温温度375℃；

T₅：溶解区第三点温度开始为室温，在6小时内升至120℃，在14小时内升至275℃，此时恒温6小时，在10小时内升至345℃，6小时内升至355℃，10小时内升至365℃，最后缓缓升温20小时达到恒温温度380℃；

f、高压釜内压力在恒温阶段控制在160±10MPa。

2.根据权利要求1所述的光学级单面长石英晶体生长工艺，其特征是：将籽晶片Z方向一边用铁片阻挡并将籽晶片和铁片粘连横放在籽晶架上的同时，还将籽晶片正X方向用铁片阻挡。