[发明专利]用于一半导体装置的成形方法及半导体装置有效
| 申请号： | 200810004686.6 | 申请日： | 2008-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101494180A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 黄祥铭;刘安鸿;李宜璋;蔡豪殷;何淑静 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司;百慕大南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485;H01L25/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 一半 导体 装置 成形 方法 半导体 | ||
1.一种用于一半导体装置的成形方法，其特征在于包含下列步骤：
(a)形成一导电凸块于一底材的一表面上；
(b)形成一介电层于该导电凸块的一周围表面；
(c)设置该底材于一基材的一表面上，使具有该介电层的该导电凸块适容置于该基材的一通孔中；以及
(d)藉由蚀刻、撕除或磨除以去除该底材。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(b)更包含：
(e)形成一光阻层于该底材的该表面上及该导电凸块的该周围表面；
(f)固化该导电凸块的该周围表面的一部分光阻层，以形成该介电层；以及
(g)蚀刻该介电层周围的该光阻层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(b)更包含：
(h)形成一介电层于该底材的该表面上及该导电凸块的一表面上；以及
(i)去除该导电凸块的该表面中的一底面的该介电层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，于完成步骤(d)后更包含下列步骤：
(j)藉由印刷或电镀分别设置一导电体于该导电凸块的两端；
(k)熔化该导电体以与另一半导体集成电路电性连接。
5.一种半导体装置，包含：
一基材，贯设一通孔，该通孔具有一第一纵向尺寸；
一半导体集成电路，设置于该基材中；以及
一导电结构，设置于该通孔中，以与该半导体集成电路电性连接，该导电结构包含：
一导电凸块，为一体形成的一T字形，具有一上方横向部分与一下方纵向部分，该导电凸块具有一第二纵向尺寸，且该第二纵向尺寸基本上大于该第一纵向尺寸，其中该导电凸块透过该上方横向部分与该半导体集成电路电性连接；以及
一介电层，仅包覆于该导电凸块的一周围表面，且与该通孔的一侧壁密接。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，介电层更包覆于该基材的一表面上，仅包覆于该导电凸块的该周围表面的该介电层与该通孔的该侧壁密接。
7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该导电凸块为一金属凸块。
8.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，更包含二导电体，分别设置于该导电结构的二端，以与该导电结构电性连接，该导电体包含一焊线、一锡球或一金属凸块。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，藉由该导电结构与该导电体以和另一半导体装置电性连接，其中该另一半导体装置与该半导体装置基本上具有一相同构造，且该另一半导体装置与该半导体装置为一晶圆或一晶粒。
10.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该介电层为一氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
