[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.半导体器件，包括：

晶体管；

电容器；

第一开关；

第二开关；

第三开关；

第四开关；以及

用于向所述晶体管提供电流的电流源，

其中所述晶体管的栅极被电连接到所述电容器的一个端子上，

其中所述晶体管的栅极被电连接到所述第三开关的一个端子上，

其中所述晶体管的源极和漏极中的一个被电连接到所述第二开关的一个端子上，

其中所述晶体管的源极和漏极中的所述一个被电连接到所述第四开关的一个端子上，

其中所述晶体管的源极和漏极中的所述一个被电连接到所述电流源上，

其中所述晶体管的源极和漏极中的另一个被电连接到所述第三开关的另一个端子上，

其中所述第一开关的一个端子被电连接到所述电容器的另一个端子上，

其中所述第一开关的所述一个端子被电连接到所述第四开关的另一个端子上，

其中所述第一开关的另一个端子被电连接到输入端子上，以及

其中所述第二开关的另一个端子被电连接到输出端子上。

2、半导体器件，包括：

第一晶体管；

电容器；

第二晶体管；

第三晶体管；

第四晶体管；

第五晶体管；以及

用于向所述第一晶体管提供电流的第六晶体管，

其中所述第一晶体管的栅极被电连接到所述电容器的一个端子上，

其中所述第一晶体管的栅极被电连接到所述第四晶体管的源极和漏极中的一个上，

其中所述第一晶体管的源极和漏极中的一个被电连接到所述第三晶体管的源极和漏极中的一个上，

其中所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一个被电连接到所述第五晶体管的源极和漏极中的一个上，

其中所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一个被电连接到所述第六晶体管的源极和漏极中的一个上，

其中所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个被电连接到所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个上，

其中所述第二晶体管的源极和漏极中的一个被电连接到所述电容器的另一个端子上，

其中所述第二晶体管的源极和漏极中的所述一个被电连接到所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个上，

其中所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个被电连接到输入端子上，以及

其中所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个被电连接到输出端子上。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述晶体管的源极和漏极中的另一个被电连接到线路上。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个被电连接到线路上。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述晶体管是薄膜晶体管。

6.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管均是薄膜晶体管。