[发明专利]闪存装置的编程方法无效

专利信息
申请号: 200810002991.1 申请日: 2008-01-15
公开(公告)号: CN101281791A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 李熙烈 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 闪存 装置 编程 方法
【权利要求书】:

1.一种于增量步阶脉冲中判定结束偏压的方法,包括:

施加第一编程电压至被选择的存储单元,以测量存储单元的第一阈值电压;

施加第二编程电压至存储单元,以测量存储单元的第二阈值电压,该第二编程电压是通过将该第一编程电压添加至该第一阈值电压中的最低阈值电压与该第一阈值电压中的中间阈值电压之间的差来判定的;

重复施加新的编程电压至该存储单元,以测量存储单元的新阈值电压直到存储单元的新阈值电压高于确认电压,该新的编程电压是通过将第二编程电压添加至先前步骤中所测量的阈值电压中的最低阈值电压与该第一阈值电压中的中间阈值电压之间的差来增加的;和

当该存储单元的新的阈值电压中的最低阈值电压高于确认电压时,定义新的编程电压为结束偏压。

2.如权利要求1所述的方法,其中施加正电压至与存储单元联结的漏极选择线、施加零(0)伏特至与存储单元联结的源极选择线及施加通过电压至未被选择的存储单元的字线、施加零(0)伏特至与存储单元联结的位线及施加Vcc电压至未被选择的存储单元的位线,藉以测量该第一阈值电压。

3.一种编程闪存装置的方法,包括:

施加第一编程电压至被选择的存储单元,以测量存储单元的第一阈值电压;

施加第二编程电压至存储单元,以测量存储单元的第二阈值电压,通过加上该第一编程电压至该第一阈值电压中的最低阈值电压与该第一阈值电压中的中间阈值电压之间的差,来判定该第二编程电压;

重复施加新的编程电压至该存储单元,以测量存储单元的新阈值电压直到存储单元的新阈值电压高于确认电压,通过加上第二编程电压至先前步骤中所测量的阈值电压中的最低阈值电压与该第一阈值电压中的中间阈值电压之间的差,来增加该新的编程电压;

当该存储单元的新的阈值电压中的最低阈值电压高于确认电压时,定义新的编程电压来作为增量步阶脉冲中的结束偏压;及

施加该增量步阶脉冲至闪存的字线。

4.如权利要求3所述的方法,其中又在该定义步骤的后包括一擦除存储单元的步骤。

5.一种于增量步阶脉冲中判定起始偏压的方法,包括:

施加第一编程电压至被选择的存储单元,以测量存储单元的第一阈值电压;

施加第二编程电压至存储单元,以测量存储单元的第二阈值电压,通过从该第一编程电压减去该第一阈值电压中的最高阈值电压与该第一阈值电压中的中间阈值电压之间的差,来判定该第二编程电压;

重复施加新的编程电压至该存储单元,以测量存储单元的新阈值电压直到存储单元的新阈值电压高于确认电压,通过从该第二编程电压减去先前步骤中所测量的阈值电压中的最高阈值电压与该第一阈值电压中的中间阈值电压之间的差,来减少该新的编程电压;及

当该存储单元的新的阈值电压的中的最低阈值电压高于确认电压时,通过从该新的编程电压减去该新的阈值电压中的中间阈值电压与该第一阈值电压中的中间阈值电压之间的差所得到的电压会被定义成起始偏压。

6.如权利要求5所述的方法,其中施加正电压至与存储单元联结的漏极选择线、施加零(0)伏特至与存储单元联结的源极选择线及施加通过电压至未选择的存储单元的字线、施加零(0)伏特至与存储单元联结的位线及施加Vcc电压至未选择的存储单元的位线,藉以测量该第一阈值电压。

7.一种编程闪存装置的方法,包括:

施加第一编程电压至被选择的存储单元,以测量存储单元的第一阈值电压;

施加第二编程电压至存储单元,以测量存储单元的第二阈值电压,通过从该第一编程电压减去该第一阈值电压中的最高阈值电压与该第一阈值电压中的中间阈值电压之间的差,来判定该第二编程电压;

重复施加新的编程电压至该存储单元,以测量存储单元的新阈值电压直到存储单元的新阈值电压高于确认电压,通过从该第二编程电压减去先前步骤中所测量的阈值电压的中的最高阈值电压与该第一阈值电压的中的中间阈值电压之间的差,来减少该新的编程电压;

当该存储单元的新的阈值电压中的最低阈值电压高于确认电压时,通过从该新的编程电压减去该新的阈值电压中的中间阈值电压与该第一阈值电压中的中间阈值电压之间的差所得到的电压会被定义成增量步阶脉冲中的起始偏压;及

施加该增量步阶脉冲至闪存的字线。

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