[发明专利]具有碳化硅基板的半导体器件的退火方法和半导体器件

权利要求书

1.一种退火方法，其用于将包括碳化硅基板的器件退火， 所述方法包括以下步骤：

通过离子注入杂质至所述碳化硅基板中，在所述碳化硅基 板中形成杂质掺杂区域；和

将所述碳化硅基板中的所述杂质掺杂区域退火；

其中：

在所述退火期间，退火气氛中的H₂O的分压不大于10^-2帕， 并且在所述退火中，注入杂质的所述碳化硅基板由具有通孔的 护罩覆盖。

2.根据权利要求1所述的退火方法，其中：

所述碳化硅基板包括外延碳化硅结晶层作为表面层，以及

在所述碳化硅结晶层中形成所述杂质掺杂区域。

3.根据权利要求1所述的退火方法，其中：

在所述退火中，H₂O的分压控制在不大于10^-3帕。

4.根据权利要求1所述的退火方法，其中：

在排出空气以致真空容器中的压强不大于10^-4帕的真空容 器中进行所述退火。

5.一种半导体器件，其包括碳化硅基板和所述基板中的杂 质掺杂区域，其中：

通过根据权利要求1所述的退火方法将所述杂质掺杂区域 退火，从而所述碳化硅基板的表面平坦度以RMS值计为不大于 2nm，更优选不大于1nm。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述半导体器件具有P-N结。