[发明专利]疏水疏油涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

(a)将第一硅烷沉积到表面上，所述第一硅烷包括官能性连接基团和硅烷基团；

(b)将第二硅烷沉积在所述第一硅烷上，所述第二硅烷包括疏水性脂族基团和硅烷基团。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一硅烷的官能性连接基团包括下述基团中的至少一种：

异氰酸酯基团；

酰卤基团；

环氧化物基团；

缩水甘油基基团；

氨基基团；

甲酯基团；

异硫氰酸根基团；

羧基基团；

活化羧基基团；

烷基卤基团；

苄基卤基团；

氯硅烷基团；

甲氧基硅烷基团；

乙氧基硅烷基团。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一硅烷的硅烷基团包括由下式表示的基团：

其中，R¹、R²和R³各自独立地是F、Cl、Br、I、H、OH、甲氧基、乙氧基、异丙氧基、烷氧基、乙酰氧基、甲基、烷基、全氟烷基、部分氟化的烷基、二甲基氨基、二烷基氨基、乙基氨基、单烷基氨基、氨基、苯基或甲氧基乙氧基乙氧基。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一硅烷包括由下式表示的结构：

其中：

n＝0～32；

X是异氰酸酯基团、酰氯基团、环氧化物基团、缩水甘油基基团、氨基基团、甲酯基团、异硫氰酸根基团、羧基基团、活化羧基基团、烷基氯基团、烷基溴基团、烷基碘基团、苄基氯基团、苄基溴基团、氯硅烷基团、甲氧基硅烷基团、乙氧基硅烷基团；

R¹、R²和R³各自独立地是F、Cl、Br、I、H、OH、甲氧基、乙氧基、异丙氧基、烷氧基、乙酰氧基、甲基、烷基、全氟烷基、部分氟化的烷基、二甲基氨基、二烷基氨基、乙基氨基、单烷基氨基、氨基、苯基或甲氧基乙氧基乙氧基。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二硅烷的疏水性脂族基团包括下述链中的至少一种：

烷基链；

部分氟化的烷基链；

全氟烷基链。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二硅烷的硅烷基团包括由下式表示的基团：

其中，R⁴、R⁵和R⁶各自独立地是F、Cl、Br、I、H、OH、甲氧基、乙氧基、异丙氧基、烷氧基、乙酰氧基、甲基、烷基、全氟烷基、部分氟化的烷基、二甲基氨基、二烷基氨基、乙基氨基、单烷基氨基、氨基、苯基或甲氧基乙氧基乙氧基。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第二硅烷包括由下式表示的结构：

其中：

n＝0～32；

R⁴、R⁵和R⁶各自独立地是F、Cl、Br、I、H、OH、甲氧基、乙氧基、异丙氧基、烷氧基、乙酰氧基、甲基、烷基、全氟烷基、部分氟化的烷基、二甲基氨基、二烷基氨基、乙基氨基、单烷基氨基、氨基、苯基或甲氧基乙氧基乙氧基。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述表面包括聚合物基材的表面。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述表面包括硅基基材的表面。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述表面包括羟基基团。

11.如权利要求10所述的方法，其中(a)包括通过将所述第一硅烷与所述表面的羟基基团反应而使所述第一硅烷与所述表面结合。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述表面包括含有硅烷醇基团的硅基基材的表面。

13.如权利要求12所述的方法，其中(a)包括通过使所述第一硅烷的硅烷基团与所述硅基基材的硅烷醇基团反应形成硅氧烷键而使所述第一硅烷与所述表面结合。

14.如权利要求1所述的方法，其还包括在(a)之前的：

(c)将所述表面的一部分氧化。