[发明专利]NAND快闪存储器单元阵列及使用自适应存储器状态分割的方法

权利要求书

1.一种在非易失性存储器中将数据存储在所述非易失性存储器中的方法，所述 非易失性存储器具有组织成NAND串的存储器单元阵列，每一存储器单元是具有源 极及漏极、电荷存储元件及控制栅极的电荷存储晶体管，每一NAND串具有源极端 及漏极端且由一系列电荷存储晶体管形成，所述一系列电荷存储晶体管通过一个单元 的所述漏极以菊花链方式连接到邻近电荷存储晶体管的所述源极且可通过源极选择 晶体管切换到所述源极端且可通过漏极选择晶体管切换到所述漏极端，所述方法包 含：

将每一NAND串的所述存储器单元区分为第一群组及第二群组，所述第二群组 包括邻近所述源极选择晶体管的存储器单元及邻近所述漏极选择晶体管的存储器单 元，且所述第一群组的所述存储器单元是所述第二群组的补充；

在所述第一群组的每一存储器单元中存储第一预定数目的数据位；及

在所述第二群组的每一存储器单元中存储小于所述第一预定数目的第二预定数 目的数据位。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述存储是通过并行编程对应页的NAND串 中具有共用字线的一页存储器单元而进行的。

3.如权利要求2所述的方法，其中通过从所述页存储器单元的电荷存储元件中 移除电荷而最初擦除所述页存储器单元。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一预定数目的数据位是2-位数据。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第二群组包含每一者用于存储所述2-位 数据的所述位中的一者的两个存储器单元。

6.如权利要求4所述的方法，其中：

所述2-位数据由逻辑第一位及逻辑第二位组成；且

所述第二群组包含两个存储器单元，一个用于存储所述逻辑第一位且另一个用于 存储所述逻辑第二位。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第二群组包含每一者用于存储所述2-位 数据中的一个位的两个存储器单元。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一预定数目的数据位是3-位数据。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二群组包含每一者用于存储所述3-位 数据中的一个或两个位的两个存储器单元。

10.如权利要求8所述的方法，其中：

所述3-位数据由逻辑第一位、逻辑第二位及逻辑第三位组成；且

所述第二群组包含两个存储器单元，一个用于存储所述逻辑第一位且另一个用于 存储所述逻辑第二及第三位。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述第二群组包含每一者用于存储所述3- 位数据中的一个或两个位的两个存储器单元。

12.一种在非易失性存储器中将数据存储在所述非易失性存储器中的方法，所述 非易失性存储器具有组织成NAND串的存储器单元阵列，每一存储器单元是具有源 极及漏极、电荷存储元件及控制栅极的电荷存储晶体管，每一NAND串具有源极端 及漏极端且由一系列电荷存储晶体管形成，所述一系列电荷存储晶体管通过一个单元 的所述漏极以菊花链方式连接到邻近电荷存储晶体管的所述源极且可通过源极选择 晶体管切换到所述源极端且可通过漏极选择晶体管切换到所述漏极端，所述方法包 含：

将每一NAND串的所述存储器单元区分为第一群组及第二群组，所述第二群组 包括邻近所述源极选择晶体管的存储器单元及邻近所述漏极选择晶体管的存储器单 元，且所述第一群组的所述存储器单元是所述第二群组的补充；

配置所述第一群组的每一存储器单元以存储第一预定数目的数据位；及

配置所述第二群组的每一存储器单元以存储小于所述第一预定数目的第二预定 数目的数据位。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述存储是通过并行编程对应页的NAND 串中具有共用字线的一页存储器单元而进行的。

14.如权利要求13所述的方法，其中通过从所述页存储器单元的电荷存储元件 中移除电荷而最初擦除所述页存储器单元。