[发明专利]利用了等离子反应炉处理系统的电子装置的制造方法无效
| 申请号: | 200780038128.5 | 申请日: | 2007-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN101523570A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
| 发明(设计)人: | 井上善规;森下贞治;大见忠弘 | 申请(专利权)人: | 欧姆龙株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;B01J19/08;H01L21/31;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 等离子 反应炉 处理 系统 电子 装置 制造 方法 | ||
1、一种利用了等离子反应炉处理系统的电子装置的制造方法,
所述等离子反应炉处理系统包括:
加工箱,内置等离子发生器;
惰性气体的供应管道,将1种或者2种以上的惰性气体源分别与加工箱 连接;
加工气体的供应管道,将1种或者2种以上的加工气体源分别与加工箱 连接;以及
箱内气体的排出管道,连接加工箱和排气泵,
在惰性气体的供应管道以及加工气体的供应管道的每一个中有压力控制 型流量调整器,该压力控制型流量调整器具有以下功能,即将流量控制阀的 开度向着被提供的流量设定值和对应于由压力测量单元测量的流体压力的流 量检测值的偏差减少的方向自动地变更,并且,
在箱内气体的排出管道中有具有第1动作模式的压力控制器,所述第1 动作模式是指,将流量控制阀的开度向着被提供的压力设定值和压力测量值 的偏差减少的方向自动地变更,
所述制造方法的特征在于,具有
第1步骤,对介于各个成分气体的供应管道的所述压力控制型流量调整 器分别提供新的流量设定值,以变更加工箱内的加工气体的浓度,并且,
在所述第1步骤中,对各个流量调整器提供的新的流量设定值的每一个 是,以在浓度变更前后总流量值相同作为条件,根据所假设的变更后的加工 气体浓度通过逆运算而求出的值。
2、如权利要求1所述的利用了等离子反应炉处理系统的电子装置的制造 方法,其特征在于,
在所述第1步骤中,对各个流量调整器提供的新的流量设定值的每一个 被设定为,从变更开始仅限于在规定的第1微少时间,关于变更后减少的成 分气体相加减少方向的超额部分,关于变更后增加的成分气体相加增加方向 的超额部分,并且减少方向的超额部分总量和增加方向的超额部分总量相等。
3、如权利要求2所述的利用了等离子反应炉处理系统的电子装置的制造 方法,其特征在于,
所述第1微少时间为2秒以下。
4、如权利要求1或2所述的利用了等离子反应炉处理系统的电子装置的 制造方法,其特征在于,
介于所述箱内气体的排出管道中的压力控制器还具有第2动作模式,所 述第2动作模式是指,将流量控制阀的开度向着开度设定值和开度当前值的 偏差减少的方向自动地变更,并且,
所述制造方法还具有:
第2步骤,从变更开始仅限于在规定的第2微少时间,将介于所述排出 管道中的压力控制器从所述第1动作模式切换到所述第2动作模式,并提供 应缓和刚变更后的压力变动的由经验求出的阀开度设定值。
5、如权利要求4所述的利用了等离子反应炉处理系统的电子装置的制造 方法,其特征在于,
所述第2微少时间为3秒以下。
6、如权利要求1至5的任一项所述的利用了等离子反应炉处理系统的电 子装置的制造方法,其特征在于,
加工气体的浓度变更包括加工开始时、加工途中或者加工结束时的加工 气体的浓度变更。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





