[发明专利]具有至少一层多元氧化物混晶层的层体系

权利要求书

1.一种用于涂覆工件的通过电弧蒸发沉积的层体系，该层体系含 至少一层下列组成的多元氧化物的混晶层：

(Me1_1-xMe2_x)₂O₃

其中Me1和Me2各包含元素Al、Cr、Fe、Li、Mg、Mn、Nb、Ti、Sb 或V中的至少一种，并且Me1和Me2的元素各不相同，其特征在于， 该混晶层的晶格具有刚玉结构，其通过在用X射线衍射法所测的该混 晶层的谱中的至少3条属刚玉结构的谱线表征。

2.权利要求1的层体系，其特征在于，其通过在用X射线衍射法 所测的该混晶层的谱中的4条属刚玉结构的谱线表征。

3.权利要求1的层体系，其特征在于，其通过在用X射线衍射法 所测的该混晶层的谱中的5条属刚玉结构的谱线表征。

4.权利要求1-3之一的层体系，其特征在于，所述混晶层的刚玉 结构是热稳定的，以致该混晶层的晶格参数a和/或c即使在至少1100℃ 的空气中退火30分钟后变化最大1％。

5.权利要求1-3之一的层体系，其特征在于，所述混晶层具有化 学计算量或欠化学计算量的氧含量。

6.权利要求5的层体系，其特征在于，所述氧含量比该化合物的 化学计算组成的氧含量低0-10％。

7.权利要求1-3之一的层体系，其特征在于，所述混晶层是细晶 粒的，其平均微晶大小小于0.1μm。

8.权利要求1-3之一的层体系，其特征在于，Me1包括铝，Me2 包括Cr、Fe、Li、Mg、Mn、Nb、Ti、Sb或V元素中的至少一种，且 0.3≤x≤0.95。

9.权利要求1-3之一的层体系，其特征在于，所述混晶层的稀有 气体和卤素的含量各小于2原子％。

10.权利要求9的层体系，其特征在于，所述混晶层中的稀有气体 含量最大为0.05原子％和/或卤素含量最大为0.1原子％，和/或该混晶 层基本上不含稀有气体和/或不含卤素。

11.权利要求1-3之一的层体系，其特征在于，所述混晶层的层 应力小，以致该多元氧化物的晶格参数与由维加德定律确定的值的偏 差小于或等于0.8％。

12.权利要求1-3之一的层体系，其特征在于，对2μm厚的混晶 层测定的层应力是具有小于±0.5Gpa的值的压应力或拉应力。

13.权利要求1-3之一的层体系，其特征在于，所述混晶层包括 由至少两种交替沉积的不同的多元氧化物组成的多层。

14.权利要求1-3之一的层体系，其特征在于，所述混晶层包括 由至少一种多元氧化物及其它的氧化物交替排序组成的多层。

15.权利要求1-3之一的层体系，其特征在于，所述多元氧化物 是(AlCr)₂O₃或(AlV)₂O₃。

16.权利要求15的层体系，其特征在于，所述其它的氧化物是 HfO₂、Ta₂O₅、TiO₂、ZrO₂、γ-Al₂O₃，或是刚玉结构形式的氧化物。

17.权利要求16的层体系，其特征在于，刚玉结构形式的氧化物 是Cr₂O₃、V₂O₃、Fe₂O₃、FeTiO₃、MgTiO₂或α-Al₂O₃。