[发明专利]形成纳米粒子的方法

权利要求书

1.一种制备一种或多种第IV族金属或其合金的纳米粒子的方法，其 包括以下步骤：在惰性气氛、大气压和加热下，使一种或多种第IV族金 属前体与分解促进剂在包含高温表面活性剂的液态反应介质中反应；加 入表面键合剂；和回收纳米粒子。

2.权利要求1的方法，其中第IV族金属是Si、Ge或Sn。

3.权利要求2的方法，其中第IV族金属是Ge。

4.权利要求1的方法，其中第IV族金属前体包括通式G(Ar)_xY_4-x的 化合物，其中G是第IV族金属，Ar是芳基，Y是卤素，而x是至少为0 且不大于4的数值。

5.权利要求1的方法，其中第IV族金属前体包括通式G(Ar)_yY_2-y的 化合物，其中G是第IV族金属，Ar是芳基，Y是卤素，而y是至少为0 且不大于2的数值。

6.权利要求4或5的方法，其中Ar是任选取代的苯基。

7.权利要求6的方法，其中Ar是苯基。

8.权利要求1的方法，其中液态反应介质还包括高温溶剂。

9.权利要求1的方法，其中分解促进剂选自以下物质之一：

a)强还原剂；或

b)S、Se、Te、P或As，或包含一种或多种零价态的上述元素的化合 物。

10.权利要求9的方法，其中分解促进剂选自S、Se、Te、P或As， 或包含一种或多种零价态的上述元素的化合物。

11.权利要求9或10的方法，其中分解促进剂选自S、Se，或包含 一种或多种零价态的上述元素的化合物。

12.权利要求1的方法，其还包括在加入表面键合剂之前加入骤冷剂 的步骤。

13.权利要求12的方法，其中加入骤冷剂的步骤在加入表面键合剂 之前，但是在加入分解促进剂之后。

14.权利要求1的方法，其中表面键合剂也是骤冷剂。

15.权利要求1的方法，其中反应步骤包括加热到约100℃-约400℃ 的温度。

16.权利要求15的方法，其中反应步骤包括加热到约200℃-约400 ℃的温度。

17.权利要求16的方法，其中反应步骤包括加热到约300℃的温度。

18.权利要求1的方法，其中所述纳米粒子具有单分散的纳米粒子尺 寸分布，以使纳米粒子直径的标准偏差小于平均直径的20％。

19.权利要求18的方法，其中纳米粒子直径的标准偏差小于平均直 径的5％。

20.权利要求1的方法，其中纳米粒子因响应光激励而发光，其量子 效率超过1％。

21.权利要求20的方法，其中量子效率超过20％。

22.权利要求1的方法，其中表面键合剂是羧酸、醛、酰胺或醇。

23.权利要求22的方法，其中表面键合剂是羧酸。

24.权利要求1的方法，其中表面键合剂包括烯基或炔基部分。

25.权利要求1的方法，其中表面键合剂包括式R-N的化合物，其 中R是烷基、烯基或芳基，且N是能够与纳米粒子的表面键合的官能团。

26.权利要求22或23的方法，其还包括使纳米粒子与氢化物还原剂 在无水且无氧的条件下反应，以提供氢封端的纳米粒子。

27.权利要求26的方法，其还包括使氢封端的纳米粒子与式L-R-N 的化合物反应，其中R表示烷基或芳基，L是具有期望官能部分的基团， 且N是能够与氢封端的纳米粒子的表面键合的官能团；由此提供化学官 能化的纳米粒子。