[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200780033885.3 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101517753A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 李尚烈 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造发光二极管(LED)的方法，所述方法包括：
在衬底上形成半导体层；
在所述半导体层上形成掩模层；
使激光辐照到所述掩模层的划片区域上，以将所述划片区域中的所述 掩模层、所述半导体层和所述衬底移除，从而将所述半导体层分为多个发 光二极管；
蚀刻所述划片区域；
移除所述掩模层；和
分离所述多个发光二极管。
2.根据权利要求1所述的方法，其中通过湿蚀刻和干蚀刻中的至少一种 来实施所述划片区域的蚀刻。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述湿蚀刻使用第一蚀刻物质来实 施，所述第一蚀刻物质对所述划片区域的蚀刻选择性比对所述掩模层的蚀 刻选择性高。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一蚀刻物质包括盐酸(HCl)、 硝酸(HNO3)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)、硫酸(H2SO4)、 磷酸(H3PO4)和Aluetch(4H3PO4+4CH3COOH+HNO3)中的至少一种， 和
所述掩模层包括氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(SiO2)的氧化物基材料。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述干蚀刻使用第一蚀刻物质来实 施，所述第一蚀刻物质对所述划片区域的蚀刻选择性比对所述掩模层的蚀 刻选择性高。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一蚀刻物质包括BCl3、Cl2、 HBr和Ar中的至少一种，和
所述掩模层包括选自由SiO2、TiO2和ITO组成的组中的氧化物基材 料或选自由Cr、Ti、Al、Au、Ni和Pt组成的组中的金属材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模层通过湿蚀刻来移除，所 述湿蚀刻使用第二蚀刻物质来实施，所述第二蚀刻物质对所述掩模层的蚀 刻选择性比对所述半导体层的蚀刻选择性高。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二蚀刻物质包括缓冲氧化物 蚀刻剂(BOE)和氢氟酸(HF)中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模层通过干蚀刻来移除，所 述干蚀刻使用第二蚀刻物质来实施，所述第二蚀刻物质对所述掩模层的蚀 刻选择性比对所述半导体层的蚀刻选择性高。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二蚀刻物质包括O2和CF4中的至少一种。
11.一种制造发光二极管的方法，所述方法包括：
在衬底上形成半导体层；
在所述半导体层上形成掩模层；
在所述掩模层上形成支撑元件；
使激光辐照到所述衬底的划片区域上，以将所述衬底分为多个发光二 极管；
蚀刻所述划片区域；
移除所述掩模层；和
分离所述多个发光二极管，
其中所述支撑元件包括金属材料和晶片衬底中的至少一种。
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