[发明专利]用于通过基于受应力的注入掩膜的应力记忆法而形成受应变的晶体管的方法

权利要求书

1.一种通过应力记忆法形成受应变的晶体管的方法，包括：

用第一注入掩膜(109)覆盖接收具有第一导电类型的掺杂物种的 第一漏极与源极区，该第一漏极与源极区是在半导体层(103)中且与 第一栅极电极(105a)相邻，该第一注入掩膜包括指定的第一本征应 力；

将具有第二导电类型的掺杂物种注入与第二栅极电极(105b)相 邻的第二漏极与源极区中，该第二栅极电极(105b)具有形成在其上的 侧壁间隔体元件(107b)，该第二漏极与源极区未被该第一注入掩膜 (109)覆盖；

将具有该第一注入掩膜(109)的该第一漏极与源极区与该第二漏 极与源极区适当地退火；以及

在共同的移除工艺中，移除该第一注入掩膜(109)与该侧壁间隔 体元件(107b)。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：形成应力材料层，以及基 于抗蚀剂掩膜(110)来图案化该应力材料层以形成该注入掩膜(109)。

3.如权利要求2所述的方法，其中，在注入具有该第二导电类型的 该掺杂物种时，保留该抗蚀剂掩膜(110)。

4.如权利要求2所述的方法，进一步包括：对于在该应力材料层上 的抗蚀剂材料形成增加表面附着性的层(108)，以及在该增加表面附着 性的层(108)上方沉积该抗蚀剂掩膜(110)。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：移除该注入掩膜(109)。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：形成包括第二本征应力 的第二注入掩膜，该第二注入掩膜覆盖该第二漏极与源极区且暴露出 该第一漏极与源极区；将具有该第一导电类型的该掺杂物种导入暴露 的该第一漏极与源极区中；以及在该第二注入掩膜至少有应力部分的 情况下退火该第一漏极与源极区。

7.如权利要求6所述的方法，其中，在具有该第一导电类型的该掺 杂物种被该第一漏极与源极区接收之前，形成该第二注入掩膜。