[发明专利]改进的单过硫酸盐膜处理法

权利要求书

1.一种改进多孔聚合物膜的透水性和/或对其进行清洗的方法，包括 将所述多孔聚合物膜用单过硫酸盐源和卤素离子处理的步骤。

2.权利要求1的方法，其中所述卤素离子为氯离子。

3.权利要求1或2的方法，包括将所述多孔聚合物膜同时与单过硫 酸盐源、卤化物、缓冲剂和碱接触。

4.权利要求1或2的方法，其中所述多孔聚合物膜为一种微滤膜或 超滤膜。

5.权利要求1或2的方法，其中所述聚合物膜由一种疏水聚合物和 亲水聚合物的共混物制备。

6.权利要求5的方法，其中所述疏水聚合物选自含氟聚合物、聚砜 类聚合物、聚酰亚胺、聚丙烯腈和聚氯乙烯。

7.权利要求6的方法，其中所述疏水聚合物为一种选自聚偏1，1-二氟 乙烯PVdF和PVdF共聚物的含氟聚合物。

8.权利要求6的方法，其中所述疏水聚合物为一种选自聚砜、聚醚 砜和聚苯砜的聚砜类聚合物。

9.权利要求5的方法，其中所述亲水聚合物选自聚乙烯吡咯烷酮PVP 和PVP共聚物、聚乙二醇PEG、聚环氧乙烷、聚乙烯醇和聚丙烯酸。

10.权利要求9的方法，其中所述亲水聚合物为一种水溶性的聚乙烯 吡咯烷酮PVP聚合物或共聚物。

11.权利要求1或2的方法，其中所述膜为一种中空纤维膜、管状膜 或平板膜。

12.权利要求1或2的方法，其中所述膜为干膜、湿膜或再湿润膜。

13.权利要求12的方法，其中所述膜为单个的，或者成束或组排列 的膜。

14.权利要求13的方法，其中所述膜成中空纤维组件或螺旋卷式组 件排列。

15.权利要求1或2的方法，其中所述聚合物膜为PVdF/PVP共混膜 或PVdF/PVP共聚物的共混膜。

16.权利要求15的方法，其中所述膜通过一种相转化法形成。

17.权利要求16的方法，其中所述膜通过由扩散诱导的相分离而形 成。

18.权利要求1或2的方法，其中所述多孔聚合物膜在流延或挤出之 后立刻处理。

19.权利要求18的方法，其中所述多孔聚合物膜在流延或挤出之后 立刻处理，成为一种初生的湿膜。

20.权利要求1或2的方法，其中所述单过硫酸盐源为单过硫酸钾。

21.权利要求1或2的方法，其中所述单过硫酸盐源为单过硫酸钾与 硫酸氢钾以及硫酸钾的结合物。

22.权利要求21的方法，其中所述单过硫酸盐源为式 2KHSO₅.KHSO₄.K₂SO₄的三聚盐。

23.权利要求1或2的方法，其中所述单过硫酸盐的浓度在0.1wt％ 至10wt％的范围内。

24.权利要求1或2方法，其中所述单过硫酸盐的浓度在0.2wt％至 5wt％的范围内。

25.权利要求1或2的方法，其在干膜上实施。

26.权利要求1或2的方法，其在再湿润膜上实施。

27.权利要求1或2的方法，其中所述多孔聚合物膜在0.004wt％至 0.5wt％的氯离子的存在下用单过硫酸盐处理。

28.权利要求1或2的方法，其中所述多孔聚合物膜在0.004wt％至 0.1wt％的氯离子的存在下用单过硫酸盐处理。

29.权利要求3的方法，其中所述缓冲剂或碱为碳酸氢盐、碳酸盐或 其混合物。

30.权利要求29的方法，其中所述缓冲剂或碱为碳酸氢盐。