[发明专利]用来形成纳米结构单层的方法和器件，以及包括该单层的器件

权利要求书

1.一种用来对纳米结构单层进行图案化的方法，该方法包括：

a)各光刻胶和嵌入光刻胶中的纳米结构的单层施加在第一层上，以提供光 刻胶层；

b)对光刻胶层以预定的图案曝光，以提供在光刻胶层至少一个第一区内的 曝光的光刻胶，以及在光刻胶层至少一个第二区的未曝光的光刻胶；

c)从第一层除去未曝光的光刻胶及其嵌入的纳米结构，同时不除去所述曝 光的光刻胶及其嵌入的纳米结构，

从而使得第一区限定的至少一个纳米结构单层阵列保留在第一层上；

d)在步骤c)之后，对第一层，曝光的光刻胶及其嵌入的纳米结构施加至少 300℃的温度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤b)中，在光刻胶层上 以预定的图案曝光的步骤包括以预定的图案进行紫外光或电子束曝光。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤d)之后，单层阵列中 纳米结构的尺寸分布的均方根偏差小于20％。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤a)中，在第一层上设 置光刻胶和纳米结构单层的步骤包括用包含所述光刻胶和纳米结构的溶液旋 涂所述第一层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶包括硅化合物。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶包括硅倍半氧烷。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一层设置在基材 上，所述基材包含半导体。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一层包含介电材料， 厚度为1-10纳米。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该方法包括：通过在步骤 d)之前，将掺杂离子注入基材中，在与纳米结构的单层阵列相邻的基材中 形成源区和漏区，在步骤d)中，在所述注入过程中发生的对基材的注入破 坏被修复，掺杂剂被活化。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该方法包括：将栅电极 设置在曝光的光刻胶上。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该方法包括：在将栅电 极设置在曝光的光刻胶上之前，将介电层设置在曝光的光刻胶上。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米结构包括金属 纳米结构。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米结构包含钯、 铂、镍或钌。

14.一种用来对纳米结构进行图案化的方法，所述方法包括：

a)将纳米结构和硅倍半氧烷设置在第一层上；

b)通过以下步骤i)-iii)使得所述硅倍半氧烷固化，提供其中嵌入了纳米 结构的固化的硅倍半氧烷：

i)对所述硅倍半氧烷以预定的图案进行电离辐射曝光，从而使得至少 第一区内的硅倍半氧烷曝光并不完全固化，而至少一个第二区内的硅倍半 氧烷保持未曝光和未固化，

ii)从所述第二区除去未曝光的硅倍半氧烷以及其中的纳米结构，同时 不从第一区除去所述不完全固化的硅倍半氧烷及其嵌入的纳米结构，

iii)在步骤ii)之后，对所述第一区内不完全固化的硅倍半氧烷进行电离 辐射曝光，以进一步固化所述硅倍半氧烷，提供固化的硅倍半氧烷。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述对硅倍半氧烷和 不完全固化的硅倍半氧烷进行电离辐射曝光的步骤包括对所述硅倍半氧烷 和不完全固化的硅倍半氧烷进行紫外光或电子束曝光。