[发明专利]贝努利棒

权利要求书

1.一种半导体晶片处理设备，其包括：

高温的基本透明的头部，其被配置为传送具有200mm或更小的直径的晶片，所述头部具有至少一个气体出口，该气体出口被布置成以引导气流以一种方式抵顶所述晶片，从而利用贝努利效应支撑所述晶片，其中所述头部被配置为安置在整体晶片之上；以及

细长的高温材料透明颈，其具有第一端和第二端，所述颈被配置为在所述第一端连接到机械臂并在所述第二端连接到所述头部，其中所述头部与所述颈流体连通。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述头部具有大约200mm±5mm的直径。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述至少一个气体出口成一定角度以引导气体越过所述晶片的上表面并向外流到所述晶片的外围，从而在所述晶片之上产生一压力，该压力小于所述晶片之下的压力。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述颈被连接到气体供给源。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述头部是由石英形成的。

6.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述头部是基本圆形的。

7.根据权利要求1所述的半导体晶片处理设备，其中所述头部和所述颈包括石英。

8.一种半导体处理工具，其包括：

处理室；

台架，其具有多个垂直堆叠的晶片槽；以及

高温的基本透明的晶片处理设备，其具有头部，该头部被配置为从上面以基本非接触的方式支撑具有200mm或更小的直径的晶片，其中所述头部被配置为安置在基本整个晶片之上，其中所述晶片处理设备被配置为在所述台架中存取所述晶片并传送所述晶片到所述处理室。

9.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述槽的节距为至少大约0.1875英寸。

10.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述台架具有至少两个槽。

11.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述晶片处理设备被连接到气体供应源并被配置为沿着所述晶片的上表面产生气流，以在所述晶片的上表面与所述晶片的较低表面之间产生压力差。

12.根据权利要求11所述的半导体处理工具，其中所述压力差产生升力，该升力在所述晶片处理设备的所述头部之下支撑所述晶片。

13.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述晶片处理设备是由石英形成的。

14.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述头部包括多个气体出口。

15.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其进一步包括负载锁定室和晶片处理室，其中所述晶片处理室被连接到所述负载锁定室和所述处理室，其中所述晶片处理设备位于所述晶片处理室内，且所述台架位于所述负载锁定室内。

16.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述晶片处理设备被配置为根据贝努利原理传送所述晶片。

17.根据权利要求8所述的半导体处理工具，其中所述头部是基本平坦的，并具有大约200mm±5mm的直径。

18.一种半导体衬底处理设备，其包括：

石英头部，其被配置为位于具有200mm或更小直径的衬底的整个上表面之上，其中所述头部被配置为通过利用贝努利原理支撑所述衬底；以及

细长的石英颈部，其与所述头部流体连通。

19.根据权利要求18所述的半导体衬底处理设备，其中所述头部被配置为以一种方式提供气体以在所述晶片的所述上表面之上产生低压区，由此朝向所述头部吸取所述晶片。

20.根据权利要求18所述的半导体衬底处理设备，其中所述头部是基本圆形的。

21.根据权利要求18所述的半导体衬底处理设备，其中所述头部包括至少一个气体出口，该气体出口被配置为引导气流抵顶所述晶片的所述上表面。

22.根据权利要求21所述的半导体衬底处理设备，其中所述至少一个气体出口被连接到所述头部中的至少一个气体通道。