[发明专利]功率放大器装置

权利要求书

1.一种功率放大器装置，包括：

平台器件，配置有第一侧和第二侧，所述平台器件包括半导体材料 的互连衬底；

载体，所述平台器件以其第二侧安装在所述载体上；

第一导电连接通过所述互连衬底从器件的第一侧延伸至器件的第二 侧，

功率放大器器件，被附着到所述平台器件的第一侧并且包括第一功 率放大器；其中通过所述互连衬底的第一导电连接是第一功率放大器的 接地路径，而通过所述衬底的半导体材料提供热学路径，

其中，所述第一导电连接包括通孔，所述通孔的壁上沉积有导电材 料，以使通孔不被完全填充，

以及其中所述载体包括热垂直互连，所述热垂直互连延伸至所述载 体第二侧的至少一个热端子，所述第二侧远离所述平台器件。

2.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其中，所述互连衬底具 有厚度，该厚度使得所述第一连接具有至多30mΩ的电阻。

3.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其中，所述互连衬底具 有至少0.5mJ/K的热容。

4.根据前述任一权利要求所述的功率放大器装置，其中，所述互连 衬底的厚度在0.12-0.28mm的范围内。

5.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其中，所述第一功率放 大器具有第一和第二级，所述第一和第二级两者配置有独立的接地路径。

6.根据权利要求5所述的功率放大器装置，其中，所述放大器的独 立接地路径在所述平台器件的第二侧上电连接。

7.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其中，所述载体包括接 触焊盘，所述接触焊盘用于将所述装置耦合至外部载体或部件，电连接 从载体延伸至平台器件。

8.根据权利要求7所述的功率放大器装置，其中，所述电连接包括 从载体延伸至平台器件第一侧的信号连接。

9.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其中，所述载体是层压 衬底。

10.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其中，采用倒装片装 配技术将功率放大器器件附着到平台器件。

11.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其中，所述平台器件 包括第一侧上的至少一个互连，以将所述功率放大器器件的输出与另外 的器件的输入相连，所述另外的器件存在于所述互连衬底中或被装配到 所述互连衬底上。

12.根据权利要求1或11所述的功率放大器装置，其中，所述平台 器件还包括无源部件，所述无源部件是一个或更多个匹配电路的一部分。