[发明专利]将钛和氮化物扩散到经涂布材料中的方法有效
| 申请号: | 200780022629.4 | 申请日: | 2007-04-10 |
| 公开(公告)号: | CN101535038A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
| 发明(设计)人: | 菲洛斯·琼贺·高;邦苏布·塞缪尔·高 | 申请(专利权)人: | 菲洛斯·琼贺·高;邦苏布·塞缪尔·高 |
| 主分类号: | B32B5/14 | 分类号: | B32B5/14;B32B15/04;B05D1/18;C23C2/04;C23C2/26;C23C12/02;B05D3/02;B05D3/10;C23C2/00;C23C12/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘 冬;韦欣华 |
| 地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氮化物 扩散 到经涂布 材料 中的 方法 | ||
1.一种将钛和氮化物扩散到基材中的方法,所述方法包括:
提供其上具有涂层的基材;
其中所述基材包括含有空隙的微结构,以及所述涂层具有其中包 括空隙的微结构;
提供盐浴,所述盐浴包含过氧化钠和选自氰酸钠和氰酸钾的盐;
在所述盐浴中分散由钛化合物电解形成的金属钛;
将盐浴加热到约430℃-约670℃;和
将涂好的基材浸泡在盐浴中持续约10分钟-约24小时,使得钛和 氮扩散并填充了涂层结构内的空隙,同时也扩散并填充了基材结构内 的空隙,以及在从涂层到其下基材的扩散途径中在其间形成了所得钛 界面或钛网。
2.权利要求1的方法,所述方法进一步包括延长浸泡时间以促进 钛和氮化物扩散到基材中。
3.权利要求1的方法,其中所述盐浴是非电解盐浴。
4.权利要求1的方法,其中所述盐浴包含至多约20w/w%的选自 碳酸钠和氯化钠的添加盐。
5.权利要求1的方法,其中浸泡温度为约500℃-约650℃。
6.权利要求3的方法,其中所述盐浴包含至多约20w/w%的选自 碳酸钠和氯化钠的添加盐。
7.权利要求1的方法,其中基材的涂层采用选自纳米涂布、陶瓷 涂布、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和离子辅助涂布(IAC) 的方法形成。
8.权利要求1的方法,所述方法进一步包括在将基材浸泡在盐浴 中后进一步处理基材。
9.权利要求8的方法,其中所述进一步处理选自热处理、纳米涂 布、陶瓷涂布、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和离子辅助 涂布(IAC)。
10.权利要求1的方法,其中所述基材是金属或金属合金。
11.权利要求1的方法,其中所述基材选自碳化物、铝、铝合金、 钢、钢合金、钛和钛合金。
12.一种将钛和氮化物扩散到基材中的方法,所述方法包括:
处理基材以形成其上具有涂层的基材;
其中所述基材包括含有空隙的微结构,以及所述涂层具有其中包 括空隙的微结构;
提供盐浴,所述盐浴包含过氧化钠和选自氰酸钠和氰酸钾的盐;
在所述盐浴中分散由钛化合物电解形成的金属钛;
将盐浴加热到约430℃-约670℃;和
将处理好的基材浸泡在盐浴中持续约10分钟-约24小时,使得钛 和氮扩散并填充了涂层结构内的空隙,同时也扩散并填充了基材结构 内的空隙,以及在从涂层到其下基材的扩散途径中在其间形成了所得 钛界面或钛网。
13.权利要求12的方法,所述方法进一步包括延长浸泡时间以促 进钛和氮化物扩散到基材中。
14.权利要求12的方法,其中所述盐浴是非电解盐浴。
15.权利要求12的方法,其中所述盐浴包含至多约20w/w%的选 自碳酸钠和氯化钠的添加盐。
16.权利要求12的方法,其中浸泡温度为约500℃-约650℃。
17.权利要求14的方法,其中所述盐浴包含高达约20w/w%的选 自碳酸钠和氯化钠的添加盐。
18.权利要求12的方法,其中所述基材采用表面处理方法处理。
19.权利要求12的方法,其中所述基材采用涂布方法处理。
20.权利要求12的方法,其中所述基材采用选自热处理、纳米涂 布、陶瓷涂布、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和离子辅助 涂布(IAC)的方法处理。
21.权利要求12的方法,所述方法进一步包括在将基材浸泡在盐 浴中后进一步处理基材。
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