[发明专利]将钛和氮化物扩散到经涂布材料中的方法有效

专利信息
申请号: 200780022629.4 申请日: 2007-04-10
公开(公告)号: CN101535038A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 菲洛斯·琼贺·高;邦苏布·塞缪尔·高 申请(专利权)人: 菲洛斯·琼贺·高;邦苏布·塞缪尔·高
主分类号: B32B5/14 分类号: B32B5/14;B32B15/04;B05D1/18;C23C2/04;C23C2/26;C23C12/02;B05D3/02;B05D3/10;C23C2/00;C23C12/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘 冬;韦欣华
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 氮化物 扩散 到经涂布 材料 中的 方法
【权利要求书】:

1.一种将钛和氮化物扩散到基材中的方法,所述方法包括:

提供其上具有涂层的基材;

其中所述基材包括含有空隙的微结构,以及所述涂层具有其中包 括空隙的微结构;

提供盐浴,所述盐浴包含过氧化钠和选自氰酸钠和氰酸钾的盐;

在所述盐浴中分散由钛化合物电解形成的金属钛;

将盐浴加热到约430℃-约670℃;和

将涂好的基材浸泡在盐浴中持续约10分钟-约24小时,使得钛和 氮扩散并填充了涂层结构内的空隙,同时也扩散并填充了基材结构内 的空隙,以及在从涂层到其下基材的扩散途径中在其间形成了所得钛 界面或钛网。

2.权利要求1的方法,所述方法进一步包括延长浸泡时间以促进 钛和氮化物扩散到基材中。

3.权利要求1的方法,其中所述盐浴是非电解盐浴。

4.权利要求1的方法,其中所述盐浴包含至多约20w/w%的选自 碳酸钠和氯化钠的添加盐。

5.权利要求1的方法,其中浸泡温度为约500℃-约650℃。

6.权利要求3的方法,其中所述盐浴包含至多约20w/w%的选自 碳酸钠和氯化钠的添加盐。

7.权利要求1的方法,其中基材的涂层采用选自纳米涂布、陶瓷 涂布、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和离子辅助涂布(IAC) 的方法形成。

8.权利要求1的方法,所述方法进一步包括在将基材浸泡在盐浴 中后进一步处理基材。

9.权利要求8的方法,其中所述进一步处理选自热处理、纳米涂 布、陶瓷涂布、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和离子辅助 涂布(IAC)。

10.权利要求1的方法,其中所述基材是金属或金属合金。

11.权利要求1的方法,其中所述基材选自碳化物、铝、铝合金、 钢、钢合金、钛和钛合金。

12.一种将钛和氮化物扩散到基材中的方法,所述方法包括:

处理基材以形成其上具有涂层的基材;

其中所述基材包括含有空隙的微结构,以及所述涂层具有其中包 括空隙的微结构;

提供盐浴,所述盐浴包含过氧化钠和选自氰酸钠和氰酸钾的盐;

在所述盐浴中分散由钛化合物电解形成的金属钛;

将盐浴加热到约430℃-约670℃;和

将处理好的基材浸泡在盐浴中持续约10分钟-约24小时,使得钛 和氮扩散并填充了涂层结构内的空隙,同时也扩散并填充了基材结构 内的空隙,以及在从涂层到其下基材的扩散途径中在其间形成了所得 钛界面或钛网。

13.权利要求12的方法,所述方法进一步包括延长浸泡时间以促 进钛和氮化物扩散到基材中。

14.权利要求12的方法,其中所述盐浴是非电解盐浴。

15.权利要求12的方法,其中所述盐浴包含至多约20w/w%的选 自碳酸钠和氯化钠的添加盐。

16.权利要求12的方法,其中浸泡温度为约500℃-约650℃。

17.权利要求14的方法,其中所述盐浴包含高达约20w/w%的选 自碳酸钠和氯化钠的添加盐。

18.权利要求12的方法,其中所述基材采用表面处理方法处理。

19.权利要求12的方法,其中所述基材采用涂布方法处理。

20.权利要求12的方法,其中所述基材采用选自热处理、纳米涂 布、陶瓷涂布、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和离子辅助 涂布(IAC)的方法处理。

21.权利要求12的方法,所述方法进一步包括在将基材浸泡在盐 浴中后进一步处理基材。

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