[发明专利]用于光刻衬底的温度控制方法

权利要求书

1.一种用于处理光刻衬底的方法，包括：

将所述光刻衬底放置在腔中的支撑构件上，所述光刻衬底具有初始温度；

将热传递流体引入到所述腔中；

通过所述热传递流体将所述光刻衬底冷却到目标温度；

排空所述腔；以及

在所述被冷却的光刻衬底的温度达到所述初始温度之前，对所述被冷却的光刻衬底执行等离子体工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述热传递流体以1托每秒的速率引入到所述腔中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述热传递流体是干燥气体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述热传递流体是惰性气体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述热传递流体包含N₂。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述支撑构件沿着所述光刻衬底的外侧5毫米保持所述光刻衬底。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述支撑构件通过三个点保持所述光刻衬底。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述初始温度具有0摄氏度到50摄氏度的温度范围。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标温度具有0摄氏度到负40摄氏度的温度范围。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标温度具有低于负30摄氏度的温度范围。

11.一种用于处理光刻衬底的方法，包括：

将所述光刻衬底放置在第一腔中的第一支撑构件上；

将热传递流体引入到所述第一腔中；

通过所述热传递流体将所述第一腔中的所述光刻衬底冷却到第一工艺设定点；

排空所述第一腔；

将所述被冷却的光刻衬底从所述第一腔传出到第二腔中的第二支撑构件上；以及

在所述被冷却的光刻衬底的温度达到第二工艺设定点之前，在所述第二腔中对所述被冷却的光刻衬底执行等离子体工艺。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述热传递流体以1托每秒的速率引入到所述第一腔中。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述热传递流体是干燥气体。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述热传递流体是惰性气体。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述热传递流体包含N₂。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一支撑构件和所述第二支撑构件沿着所述光刻衬底的外侧5毫米保持所述光刻衬底。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一支撑构件和所述第二支撑构件通过三个点保持所述光刻衬底。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一工艺设定点具有0摄氏度到负40摄氏度的温度范围。

19.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一工艺设定点具有低于负30摄氏度的温度范围。

20.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二工艺设定点具有0摄氏度到20摄氏度的温度范围。