[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体发光元件，其特征在于，包括：

包含发光层的半导体层，形成在该半导体层的光取出面上的折射率倾斜层，以及通过接合层贴合在该折射率倾斜层的外表面的支持基板；

所述支持基板以及所述接合层对于从所述半导体层射出的光透明；

所述支持基板的折射率与所述接合层的折射率大体相等、且比所述半导体层的折射率小；

所述折射率倾斜层的折射率，以在所述半导体层侧与所述半导体层的折射率大体相等、在所述支持基板侧与所述支持基板的折射率大体相等的方式，关于膜厚方向相同或者多阶段地变化。

2、如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述半导体层由GaN类半导体层、所述支持基板由SiO₂、所述接合层由环氧树脂层构成，所述折射率倾斜层是在膜厚方向上组成为变化的无机电介质层。

3、如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述折射率倾斜层的所述半导体层侧的折射率在2.0～2.9的范围内，所述折射率倾斜层的所述支持基板侧的折射率在1.4～1.6的范围内。

4、一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在蓝宝石基板的一个面上形成半导体层的工序；

在所述半导体层上安装暂时保持所述半导体层的支撑基板的工序；

将所述蓝宝石基板从所述蓝宝石基板与所述半导体层的界面剥离，露出所述半导体层的工序；

在露出的所述半导体层的表面通过气相镀法形成折射率在膜厚方向上变化的折射率倾斜层的工序；

在该折射率倾斜层的表面通过接合层贴合对于从所述半导体层射出的光透明的支持基板的工序；以及

将所述支撑基板从所述半导体层与所述支撑基板的界面剥离的工序。

5、如权利要求4所述半导体发光元件的制造方法，其特征在于：

在形成所述折射率倾斜层的工序中，将由所述支撑基板支撑的所述半导体层容纳在等离子体CVD装置的镀室内，并根据在所述半导体层上形成的所述折射率倾斜层的膜厚，适当地改变供给到所述镀室内的原料气体的组成。