[发明专利]双重曝光光刻工艺

权利要求书

1.双重曝光光刻工艺，包括：

在工作表面上形成第一光刻胶层；

以具有由第一光刻掩膜限定的特征的第一图案将所述第一光刻胶层曝光于光化辐射；

去除所述第一光刻胶层中由所述光化辐射限定的部分从而在所述工作表面上暴露出第一图案；

在所述第一光刻胶层以及所述工作表面上暴露出的图案上形成第二层光刻胶层；

以具有由第二光刻掩膜限定的特征的第二图案将所述第二光刻胶层曝光于光化辐射，所述第二图案与在所述工作表面上暴露出的所述第一图案对准；

去除所述第二光刻胶层中由所述光化辐射限定的部分从而在所述工作表面上暴露出第三图案；以及

将所述第三图案传递至所述工作表面，其中所述第一光刻掩膜是用于形成结构化专用集成电路(ASIC)的非定制掩膜，并且所述第二光刻掩膜是用于形成ASIC的定制掩膜。

2.如权利要求1所述的光刻工艺，其中，所述第一光刻掩膜具有高于所述第二光刻掩膜的分辨率。

3.如权利要求1所述的光刻工艺，其中，所述第一光刻掩膜是相移掩膜或者光临近校正掩膜。

4.如权利要求1所述的光刻工艺，其中，所述第二光刻掩膜是二元掩膜。

5.如权利要求1所述的光刻工艺，其中，所述工作表面是金属化层。

6.如权利要求1所述的光刻工艺，其中，所述工作表面是电介质层，并且将所述第三图案传递至所述工作表面的步骤包括去除所述工作表面的由所述第三图案限定的部分的步骤。

7.如权利要求1所述的光刻工艺，其进一步包括将所述第二光刻胶层烘硬的步骤。

8.双重曝光光刻工艺，包括：

在工作表面上形成第一硬掩膜层；

在所述第一硬掩膜层上形成第一光刻胶层；

以具有由第一光刻掩膜限定的特征的第一图案将第一光刻胶层曝光于光化辐射；

去除所述第一光刻胶层中由所述光化辐射限定的部分从而在所述第一硬掩膜层上暴露出所述第一图案；

去除部分的所述第一硬掩膜层从而在所述工作表面上暴露出所述第一图案；

在所述第一硬掩膜层的保留部分以及在所述工作表面上暴露出的部分上形成第二层光刻胶层；

以具有由所述第二光刻掩膜限定的特征的第二图案将所述第二光刻胶层曝光于光化辐射，所述第二图案与在所述工作表面上暴露出的所述第一图案对准；

去除所述第二光刻胶层中由所述光化辐射限定的部分从而在所述工作表面上暴露出第三图案；以及

将所述第三图案传递至所述工作表面。

9.如权利要求8所述的光刻工艺，其中，所述第一光刻掩膜具有高于所述第二光刻掩膜的分辨率。

10.如权利要求8所述的光刻工艺，其中，所述第一光刻掩膜是相移掩膜或者光临近校正掩膜。

11.如权利要求8所述的光刻工艺，其中，所述第二光刻掩膜是二元掩膜。

12.如权利要求8所述的光刻工艺，其中，所述第一光刻掩膜是用于形成结构化专用集成电路(ASIC)的非定制掩膜，并且所述第二光刻掩膜是用于形成ASIC的定制掩膜。

13.如权利要求8所述的光刻工艺，其中，所述工作表面是金属化层。

14.如权利要求8所述的光刻工艺，其中，所述工作表面是电介质层，并且将所述第三图案传递至所述工作表面的步骤包括去除由所述第三图案限定的所述工作表面的部分的步骤。