[发明专利]制造几何多晶铸硅的方法和装置及用于光电池的几何多晶铸硅实体

权利要求书

1.铸硅制造方法，包括：

在坩埚的至少一个表面上放置几何排列的许多硅籽晶，所述坩锅 具有一个或多个被加热到至少硅的熔融温度的侧壁和至少一个冷却 壁；

放置与几何排列的单晶硅籽晶接触的熔融硅；以及

通过冷却熔融硅以控制结晶，形成包含几何规则多晶硅的固体实 体，其任选具有各自为至少约10cm的至少两个尺寸，其中该形成包 括在冷却期间控制熔融硅边缘处的固-液界面，以便在增大熔融硅与所 述至少一个冷却壁之间距离的方向上移动。

2.太阳能电池制造方法，包括：

提供根据权利要求1的铸硅实体；

由该实体形成至少一个晶片；

任选在晶片表面上实施清洗步骤；

任选在该表面上实施纹饰步骤；

形成p-n结；

任选在该表面上沉积抗反射涂层；

任选形成选自背面电场和钝化层的至少一层；以及

在晶片上形成导电触点。

3.铸硅制造方法，包括：

按预定的图案在坩埚的至少两个表面上布置许多硅籽晶，所述坩 埚具有一个或多个被加热到至少硅的熔融温度的侧壁和至少一个冷却 壁；

放置与该许多单晶硅籽晶接触的熔融硅；以及

通过从坩埚的该至少两个表面冷却熔融硅以控制结晶，形成包含 几何规则多晶硅的固体实体，其任选具有各自为至少约10cm的至少 两个尺寸，其中该形成包括在冷却期间控制熔融硅边缘处的固-液界面， 以便在增大坩埚中熔融硅与单晶硅籽晶之间距离的方向上移动界面。

4.铸硅制造方法，包括：

在坩埚的至少一个表面上放置几何排列的许多硅籽晶；

放置与该至少一个表面上的该许多硅籽晶接触的硅原料；

将该硅原料和该许多硅籽晶加热到硅的熔融温度；

控制该加热，使得该许多硅籽晶不完全熔融，该控制包括在坩埚 中别处达到硅的熔融温度后，使在坩埚的外表面上测量的ΔT保持在约 0.1℃/分钟或更小；以及，一旦该许多籽晶部分熔融，

通过冷却所述硅来形成包含几何规则多晶硅的固体实体。

5.太阳能电池制造方法，包括：

提供根据权利要求4的铸硅实体；

由该实体形成至少一个晶片；

任选在晶片表面上实施清洗步骤；

任选在该表面上实施纹饰步骤；

形成p-n结；

任选在该表面上沉积抗反射涂层；

任选形成选自背面电场和钝化层的至少一层；以及

在晶片上形成导电触点。

6.铸硅制造方法，包括：

按预定的图案在坩埚的至少两个表面上布置许多硅籽晶；

放置与该至少两个表面上的该许多硅籽晶接触的硅原料；

将该硅原料和该许多硅籽晶加热到硅的熔融温度；

控制加热，使得该许多硅籽晶不完全熔融，该控制包括在坩埚中 别处达到硅的熔融温度后，使在坩埚的外表面上测量的ΔT保持在约 0.1℃/分钟或更小；以及，一旦该许多籽晶部分熔融，

通过冷却所述硅来形成包含几何规则多晶硅的固体实体。

7.太阳能电池制造方法，包括：

提供根据权利要求6的铸硅实体；

由该实体形成至少一个晶片；

任选在晶片表面上实施清洗步骤；

任选在该表面上实施纹饰步骤；

形成p-n结；

任选在该表面上沉积抗反射涂层；

任选形成选自背面电场和钝化层的至少一层；以及

在晶片上形成导电触点。