[发明专利]半导体光源装置及发光元件驱动电路

权利要求书

1.一种半导体光源装置，该半导体光源装置具备了具有由氮化物半导体构成的多层半导体层的半导体激光元件和驱动上述半导体激光元件的驱动电路，其特征在于：

上述驱动电路进行通过向上述半导体激光元件供给顺向电流来使上述半导体激光元件振荡的顺向驱动动作、和对上述半导体激光元件施加逆向偏压的逆向驱动动作；

进行上述逆向驱动动作的逆向驱动期间设在不进行上述顺向驱动动作的激光关断期间内，

上述多层半导体层包含活化层和含有氢原子的p型覆层，

上述逆向驱动动作抑制上述p型覆层所包含的氢向上述活化层移动。

2.根据权利要求1所述的半导体光源装置，其特征在于：

上述逆向偏压的大小由流过上述半导体激光元件的逆向电流值限制。

3.根据权利要求1所述的半导体光源装置，其特征在于：

上述活化层和上述p型覆层之间设有溢出抑制层，该溢出抑制层抑制载体从上述活化层溢出。

4.根据权利要求3所述的半导体光源装置，其特征在于：

上述p型覆层及上述溢出抑制层添加镁。

5.根据权利要求1所述的半导体光源装置，其特征在于：

上述半导体光源装置进一步具备接收来自上述半导体激光元件所发射的、被光盘反射的激光光的光接收元件，

转换上述顺向驱动动作和上述逆向驱动动作的转换周期短于对应上述光盘上所记录的数据而被上述光接收元件查出的再生信号的周期。

6.根据权利要求1所述的半导体光源装置，其特征在于：

上述半导体光源装置进一步具备接收来自上述半导体激光元件所发射的、被光盘反射的激光光的光接收元件，

通过对应上述光盘上所记录的数据转换上述顺向驱动动作和上述逆向驱动动作来在上述光盘上记录上述数据。

7.根据权利要求1所述的半导体光源装置，其特征在于：

上述半导体光源装置进一步具备接收来自上述半导体激光元件所发射的、被光盘反射的激光光的光接收元件，

在再生上述光盘上所记录的数据的期间和在上述光盘上记录其他数据的期间以外的期间进行上述逆向驱动动作。

8.根据权利要求7所述的半导体光源装置，其特征在于：

上述半导体光源装置进一步具备加热上述半导体激光元件的加热器，

在上述激光关断期间内设有以上述加热器来加热上述半导体激光元件的加热期间，

上述加热期间和上述逆向驱动期间互相重叠。

9.根据权利要求1所述的半导体光源装置，其特征在于：

上述半导体光源装置进一步具备由上述半导体激光元件所发射的激光光激励的荧光体，

转换上述顺向驱动动作和上述逆向驱动动作的转换频率是电灯线的商用频率以上。

10.根据权利要求1所述的半导体光源装置，其特征在于：

上述半导体光源装置进一步具备由上述半导体激光元件所发射的激光光激励的荧光体，

在利用来自上述荧光体的发光期间以外的期间进行上述逆向驱动动作。

11.一种发光元件驱动电路，该发光元件驱动电路驱动具有由氮化物半导体构成的多层半导体层的半导体激光元件的，其特征在于：

该发光元件驱动电路具备：

通过向上述半导体激光元件供给顺向电流来使上述半导体激光元件振荡的顺向驱动电路，

向上述半导体激光元件施加逆向偏压的逆向驱动电路，以及

转换上述顺向驱动电路和上述逆向驱动电路并连接上述半导体激光元件的开关电路，

上述多层半导体层包含活化层和含有氢原子的p型覆层，

上述逆向驱动电路抑制上述p型覆层所包含的氢向上述活化层移动。

12.一种半导体光源装置，该半导体光源装置具备由氮化物半导体构成的多层半导体层的发光元件和驱动上述发光元件的驱动电路，其特征在于：

上述驱动电路进行通过向上述发光元件供给顺向电流来使上述发光元件发光的顺向驱动动作、和向上述发光元件施加逆向偏压的逆向驱动动作，

上述逆向偏压的大小由流过上述发光元件的逆向电流值限制，

上述多层半导体层包含活化层和含有氢原子的p型覆层，

上述逆向驱动动作抑制上述p型覆层所包含的氢向上述活化层移动。

13.一种发光元件驱动电路，该发光元件驱动电路驱动由氮化物半导体构成的多层半导体层的发光元件，其特征在于：

该发光元件驱动电路具备：

通过向上述发光元件供给顺向电流来使上述发光元件发光的顺向驱动电路，

向上述发光元件施加逆向偏压的逆向驱动电路，以及

限制流过上述发光元件的逆向电流值的恒流电路，

上述多层半导体层包含活化层和含有氢原子的p型覆层，

上述逆向驱动电路抑制上述p型覆层所包含的氢向上述活化层移动。